600A 650V Half Bridge Module IGBTMODULE DGD600H65M2T ECONODUAL3 PACKET

600A 650V Half Bridge -modulen

1 Beskrivning 

Dessa isolerade grindbipolära transistor använde avancerad diket och fältstoppteknikdesign, gav utmärkt vcesat och omkopplingshastighet, låg grindladdning. Som överensstämmer med ROHS -standarden.

2 funktioner 

● FS Trench -teknik, positiv temperaturkoefficient 

● Låg mättnadsspänning: VCE (SAT), typ = 1,48V @ IC = 600A och TJ = 25 ° C 

● Extremt förbättrad lavinförmåga

3 applikationer 

•  Svetsning 

•  Ups 

•  Three-Leve Inverter 

• AC och DC Servo Drive -förstärkare

• 
  

  
  

  Typ	Vce	Ic	VCESAT, TJ = 25 ℃	Prick	Paket
  DGD600H65M2T	650V	600A (TJ = 100 ℃)	1.48V (typ)	175 ℃	Ekonodual3