ម៉ូឌុលស្ពានពាក់កណ្តាល 600A 650V IGBTMmodule DGD600H65M2T EconoDUAL3 កញ្ចប់

ម៉ូឌុលស្ពានពាក់កណ្តាល 600A 650V

1 ការពិពណ៌នា 

Insulated Gate Bipolar Transistor ទាំងនេះបានប្រើប្រាស់លេណដ្ឋានកម្រិតខ្ពស់ និងការរចនាបច្ចេកវិទ្យា Fieldstop ដែលផ្តល់នូវ VCEsat ដ៏ល្អឥតខ្ចោះ និងល្បឿន�ម្ម ប្រព័ន្ធថាមពលកកើតឡើងវិញ ដល់ឧបករណ៍ប្រើប្រាស់ ការគ្រប់គ្រងថាមពលប្រកបដោយប្រសិទ្ធភាពកំណត់ភាពជោគជ័យនៃប្រព័ន្ធអេឡិចត្រូនិច។

2 លក្ខណៈពិសេស 

● បច្ចេកវិទ្យា FS Trench មេគុណសីតុណ្ហភាពវិជ្ជមាន 

● វ៉ុលតិត្ថិភាពទាប៖ VCE(sat), វាយ = 1.48V @ IC = 600A និង Tj = 25°C 

● សមត្ថភាពនៃការធ្លាក់ព្រិលខ្លាំង

3 កម្មវិធី 

•  ការផ្សារដែក 

•  UPS 

•  Inverter បីជាន់ 

• ឧបករណ៍ពង្រីកដ្រាយ AC និង DC servo

• 
  

  
  

  ប្រភេទ	VCE	អ៊ីក	VCEsat, Tj = 25 ℃	Tjop	កញ្ចប់
  DGD600H65M2T	650V	600A (Tj=100 ℃)	1.48V (ប្រភេទ)	175 ℃	EconoDUAL3