600A 650V Moduł półmostkowy IGBTModule DGD600H65M2T PAKIET EconoDUAL3

600A 650V Moduł półmostkowy

1 Opis 

W tych tranzystorach bipolarnych z izolowaną bramką zastosowano zaawansowaną technologię wykopów i technologię Fieldstop, zapewniając doskonałą prędkość VCEsat i przełączania oraz niski ładunek bramki. Co jest zgodne ze standardem RoHS.

2 funkcje 

● Technologia wykopów FS, dodatni współczynnik temperaturowy 

● Niskie napięcie nasycenia: VCE(sat), typ = 1,48 V @ IC = 600 A i Tj = 25°C 

● Niezwykle zwiększone możliwości lawinowe

3 aplikacje 

•  Spawalniczy 

•  UPS-em 

•  Falownik trójpoziomowy 

• Wzmacniacz serwonapędu AC i DC

• 
  

  
  

  Typ	VCE	Ic	VCEsat, Tj=25℃	Tjop	Pakiet
  DGD600H65M2T	650 V	600A (Tj=100℃)	1,48 V (typ)	175 ℃	EconoDUAL3