600A 650V Half Bridge Modul IgbtModule DGD600H65M2T EConodual3 Balíček

600A 650 V polovičný most Modul

1 popis 

Tento izolovaný bipolárny tranzistor brány použil pokročilý dizajn technológie výkopu a technológie FieldStop, poskytol vynikajúcu rýchlosť Vcessat a rýchlosť prepínania, nízky náboj brány. Čo je v súlade so štandardom ROHS.

2 funkcie 

● Technológia výkopu FS, pozitívny koeficient teploty 

● Nízke nasýtenie napätie: VCE (SAT), TYP = 1,48V @ IC = 600a a TJ = 25 ° C 

● Mimoriadne vylepšená lavínová schopnosť

3 aplikácie 

•  Zváranie 

•  Utier 

•  Invertor 

• AC a DC Servo Drive zosilňovač

• 
  

  
  

  Typ	Vce	IC	Vcesat, tj = 25 ℃	Tjop	Balík
  DGD600H65M2T	650V	600a (TJ = 100 ℃)	1,48 V (typ)	175 ℃	Econodual3