πύλη
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Είστε εδώ: Σπίτι » Προϊόντα » ΕΝΟΤΗΤΑ IGBT » PIM » 600A 650V Μονάδα μισής γέφυρας IGBTMmodule DGD600H65M2T EconoDUAL3 PACKAGE

φόρτωση

Κοινοποίηση σε:
κουμπί κοινής χρήσης facebook
κουμπί κοινής χρήσης twitter
κουμπί κοινής χρήσης γραμμής
κουμπί κοινής χρήσης wechat
κουμπί κοινής χρήσης linkedin
κουμπί κοινής χρήσης pinterest
κουμπί κοινής χρήσης whatsapp
κοινοποιήστε αυτό το κουμπί κοινής χρήσης

600A 650V Μονάδα μισής γέφυρας IGBTMmodule DGD600H65M2T EconoDUAL3 PACKAGE

Αυτό το διπολικό τρανζίστορ Insulated Gate χρησιμοποιούσε προηγμένη σχεδίαση τεχνολογίας τάφρου και Fieldstop, παρείχε εξαιρετική ταχύτητα VCEsat και μεταγωγή, χαμηλή φόρτιση πύλης. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS.
Διαθεσιμότητα:
Ποσότητα:
  • DGD600H65M2T

  • WXDH

  • EconoDUAL3

  • DGD600H65M2T REV1.0.pdf

  • 650V

  • 600Α

Μονάδα μισής γέφυρας 600A 650V

1 Περιγραφή 

Αυτό το διπολικό τρανζίστορ Insulated Gate χρησιμοποιούσε προηγμένη σχεδίαση τεχνολογίας τάφρου και Fieldstop, παρείχε εξαιρετική ταχύτητα VCEsat και μεταγωγή, χαμηλή φόρτιση πύλης. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS.


2 Χαρακτηριστικά 

● Τεχνολογία FS Trench, Θετικός συντελεστής θερμοκρασίας 

● Χαμηλή τάση κορεσμού: VCE(sat), typ = 1,48V @ IC =600A και Tj = 25°C 

● Εξαιρετικά βελτιωμένη ικανότητα χιονοστιβάδας


3 Εφαρμογές 

  •  Συγκόλληση 

  •  UPS 

  •  Μετατροπέας τριών επιπέδων 

  • Ενισχυτής σερβοκινητήρα AC και DC



  • Τύπος VCE Ic VCEsat,Tj=25℃ Tjop Πακέτο
    DGD600H65M2T 650V 600A (Tj=100℃) 1,48 V (Τύπος) 175℃ EconoDUAL3
Προηγούμενος: 
Επόμενος: 
  • Εγγραφείτε για το ενημερωτικό μας δελτίο
  • ετοιμαστείτε για το μέλλον
    εγγραφείτε στο ενημερωτικό μας δελτίο για να λαμβάνετε ενημερώσεις κατευθείαν στα εισερχόμενά σας