vrata
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ste tukaj: Doma » Izdelki » IGBT modul » Pim » 600A 650V Half Bridge modul igbtmodule dgd600H65m2t econodual3 paket

nalaganje

Delite:
Gumb za skupno rabo Facebooka
Gumb za skupno rabo Twitterja
Gumb za skupno rabo vrstic
Gumb za skupno rabo WeChat
Gumb za skupno rabo LinkedIn
Gumb za skupno rabo Pinterest
Gumb za skupno rabo WhatsApp
Gumb za skupno rabo

600A 650V Half Bridge Modul IGBTMODULE DGD600H65M2T ECONODUAL3 paket

Ti izolirani bipolarni tranzistor vrat je uporabil napredni jarek in oblikovanje tehnologije Fieldstop, zagotovil odlično hitrost VCESAT in preklopno hitrost, nizko naboj vrat. Ki ustreza standardu ROHS.
Razpoložljivost:
Količina:

600A 650V modul Half Bridge

1 opis 

Ti izolirani bipolarni tranzistor vrat je uporabil napredni jarek in oblikovanje tehnologije Fieldstop, zagotovil odlično hitrost VCESAT in preklopno hitrost, nizko naboj vrat. Ki ustreza standardu ROHS.


2 značilnosti 

● FS tehnologija jarkov, koeficient pozitivne temperature 

● Nizka napetost nasičenosti: VCE (Sat), Typ = 1,48V @ IC = 600A in TJ = 25 ° C 

● Izjemno izboljšana sposobnost plazov


3 aplikacije 

  •  Varjenje 

  •  UPS 

  •  Tri leve pretvornik 

  • AC in DC servo pogonski ojačevalnik



  • Tip VCE Ic VCET, TJ = 25 ℃ Tjop Paket
    DGD600H65M2T 650V 600A (TJ = 100 ℃) 1.48V (Typ) 175 ℃ Econodual3
Prejšnji: 
Naslednji: 
  • Prijavite se za naše glasilo
  • Pripravite se na prihodnjo
    prijavo na naše glasilo, da dobite posodobitve naravnost v mapo »Prejeto«