Nacházíte se zde: Domov » Produkty » IGBT modul » Pim » 600A 650V MODUL MODULU IGBTModule DGD600H65M2T Econodual3 Package

600A 650V MODUL HALF BRIDGE IGBTModule DGD600H65M2T ECONODUAL3 BALÍČ

Sdílet na:

600A 650V MODUL HALF BRIDGE IGBTModule DGD600H65M2T ECONODUAL3 BALÍČ

Tyto izolované bipolární tranzistor brány používaly technologický design Advanced Trench a Fieldstop, poskytoval vynikající rychlost VCESAT a přepínání, nízký náboj brány. Který v souladu se standardem ROHS.

Dostupnost:

Množství:



Zeptejte se Přidejte do koše

Model:
DGD600H65M2T
Značka:
Wxdh
Balík:
Econodual3
Datasheet:
DGD600H65M2T Rev1.0.pdf
PROTI:
650V
A:
600a

Popis produktu

600A 650V MODUL MOSTIP

1 Popis

2 funkce

● Technologie příkopu FS, koeficient pozitivní teploty

● Nízké napětí nasycení: VCE (SAT), TYP = 1,48V @ IC = 600A a TJ = 25 ° C

● Extrémně vylepšená schopnost laviny

3 aplikace

Svařování
UPS
Třídavý střídač
AC a DC Servo Drive zesilovač
Typ VCE IC VCESAT, TJ = 25 ℃ Tjop Balík

DGD600H65M2T 650V 600A (TJ = 100 ℃) 1,48V (typ) 175 ℃ Econodual3

Předchozí:

Další:

Modul

Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
Připravte se na budoucnost
Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty

Předložit

Naše výrobky
- MOSFET
- Dioda
- IGBT
- IGBT modul
- Sic
- Regulátor napětí IC
O Letor
Více odkazů
Kontaktujte nás

E-mail:

sales@wxdh.com. Cn

Pevná linka:

+86-510-85307789
Sociální sítě

Typ	VCE	IC	VCESAT, TJ = 25 ℃	Tjop	Balík
DGD600H65M2T	650V	600A (TJ = 100 ℃)	1,48V (typ)	175 ℃	Econodual3