未命名(1)(8) (1)
puerta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
Usted está aquí: Hogar » Productos
Modelo:
Paquete:
V:
A:
LÍNEAS DE PRODUCTOS SELECCIONADAS:

Todos los productos

Imagen Modelo Paquete V A Ficha técnica Detalles Consulta Añadir al carrito
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 12A 100V DH850N10D TO-252B DH850N10D TO-252B 100V 12A Especificación del dispositivo DH850N10D (1).pdf
MOSFET B1N60 TO-251 de potencia del modo de mejora del canal N de 0.8A 600V B1N60 TO-251B 600V 0.8A
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 140A 40V DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40V 140A Especificación del dispositivo DHP035N04.pdf
Medio puente 500V/5A IPM DPQA05HB50MF SOP-11 DPQA05HB50MF POE-11 500V 5A Donghai_DPQA05HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 100A 85V DH85N08 TO-220C DH85N08 A-220C 85V 100A Especificación del dispositivo DH85N08.pdf
Módulo de medio puente 450A 1200V IGBTMódulo DGB450H120L2T 62mm DGB450H120L2T 62mm 1200V 450A DGB450H120L2T-REV1.1.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 25A 100V 25N10 TO-220C DH025N03 A-220C 30V 150A Especificación del dispositivo DH025N03.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 120A 30V DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30V 120A Especificación del dispositivo DH025N03P(1)(1).pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 60A 68V DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70V 56A Donghai_DH105N07P_Datasheet_V1.0 (1).pdf
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 49A y 80 V DH116N08D TO-252B 80V 49A Especificación del dispositivo DH116N08.pdf
Serie TRIAC 600V/800V 4A BT134-600E TO-126 BT134-600E A-126 600V/800V 4A 英文版BT134-126技术规格书.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 30A 60V DHDZ24 TO-252B DHDZ24 TO-252B 60V 30A Especificación del dispositivo DHZ24B31.pdf
MOSFET F740 TO-220F de potencia del modo de mejora del canal N de 10A 400V F740 TO-220F 400V 10A Especificación del dispositivo 740.pdf
Diodo de barrera Schottky 20A 100V MBR20100CT TO-252 MBR20100CT A-252 100V 20A 英文版MBR20100CT技术规格书.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 320A 30V DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30V 320A Especificación del dispositivo DH012N03.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180A Especificación del dispositivo DHS020N04D.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N 320A 30V DH012N03 TO-220C DH012N03 A-220C 30V 320A Especificación del dispositivo DH012N03.pdf
-30A -60V Modo de mejora del canal P MOSFET de potencia DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60V -30A Especificación del dispositivo DH300P06.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 35A 120V DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120V 35A Dispositivo+DSD270N12N3+Especificación+Rev.1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 175A 80V DHS035N88E TO-263 DHS035N88E A-263 80V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf

Vídeo del producto

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
  • Suscríbete a nuestro boletín
  • prepárese para el futuro
    suscríbase a nuestro boletín para recibir actualizaciones directamente en su bandeja de entrada
    Entregar
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tecnología por leadong.com