brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
12A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH850N10D TO-252B DH850N10D TO-252B 100V 12A Specifikace zařízení DH850N10D (1).pdf
0,8A 600V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET B1N60 TO-251 B1N60 TO-251B 600V 0,8A
140A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40V 140A Specifikace zařízení DHP035N04.pdf
500V/5A Half-Bridge IPM DPQA05HB50MF SOP-11 DPQA05HB50MF SOP-11 500V 5A Donghai_DPQA05HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
100A 85V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH85N08 TO-220C DH85N08 TO-220C 85V 100A Specifikace zařízení DH85N08.pdf
450A 1200V Modul polovičního můstku IGBTMmodul DGB450H120L2T 62mm DGB450H120L2T 62 mm 1200V 450A DGB450H120L2T-REV1.1.pdf
25A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 TO-220C 30V 150A Specifikace zařízení DH025N03.pdf
120A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30V 120A Specifikace zařízení DH025N03P(1)(1).pdf
60A 68V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70V 56A Donghai_DH105N07P_Datasheet_V1.0 (1).pdf
Výkonový MOSFET 49A 80V N-channel Enhancement Mode DH116N08D TO-252B 80V 49A Specifikace zařízení DH116N08.pdf
TRIAC série 600V/800V 4A BT134-600E TO-126 BT134-600E TO-126 600V/800V 4A 英文版BT134-126技术规格书.pdf
30A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHDZ24 TO-252B DHDZ24 TO-252B 60V 30A Specifikace zařízení DHZ24B31.pdf
10A 400V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET F740 TO-220F F740 TO-220F 400V 10A Specifikace zařízení 740.pdf
20A 100V SchottkyBarrierDiode MBR20100CT TO-252 MBR20100CT TO-252 100V 20A 英文版MBR20100CT技术规格书.pdf
320A 30V N-kanálový režim zesílení napájení MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30V 320A Specifikace zařízení DH012N03.pdf
 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180A Specifikace zařízení DHS020N04D.pdf
320A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 TO-220C 30V 320A Specifikace zařízení DH012N03.pdf
-30A -60V P-kanál v režimu vylepšení výkonu MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60V -30A Specifikace zařízení ecifikace zařízení DH300P06.pdf
35A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120V 35A Zařízení+DSD270N12N3+Specifikace+Rev.1.0.pdf
175A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS035N88E TO-263 DHS035N88E TO-263 80V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf

Video o produktu

  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky