未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
10.6A 650V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DJF380N65T TO-220F DJF380N65T TO-220F 650V 10.6A Laite DJF380N65T Tekniset tiedot Rev.1.0.pdf
80A 1200V pikapalautusdiodi MUR80120 TO-247-2L MUR80120 TO-247-2L 1200V 80A 英文版MUR80120技术规格书.pdf
75A 1200V puolisilta IGBT-moduuli DGA75H120M2T 34mm DGA75H120M2T 34 mm 1200V 75A DGA75H120M2T.pdf
-140A -60V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA -220C -60V -140A Laite+DTG050P06LA+Specification+Rev.1.0.pdf
80A 200V nopea palautusdiodi MUR80FU20NCA TO-3PN MUR80FU20NCA TO-3PN 200V 80A 英文版MUR80FU20NCA技术规格书.pdf
180A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA TO-263 100V 180A Laite+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Specification+Rev.1.0.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E TO-263 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+datasheet+Rev.1.0.pdf
150A 1200V puolisiltamoduuli IGBT-moduuli DGA150H120M2T 34mm DGA150H120L2T 34 mm 1200V 150A DGA150H120L2T.pdf
40A 1200V ojanpysäytyseristetty kaksinapainen transistori G40N120D TO-247 G40N120D TO-247 1200V 40A G40N120D - datasheet.pdf
12A 650V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET F12N65 F12N65 TO-220F 650V 12A 英文版F12N65技术规格书REV1.0.pdf
150A 1200V puolisiltamoduuli IGBT-moduuli DGA150H120M2T 34mm DGA150H120M2T 34 mm 1200V 150A DGA150H120M2T(1).pdf
6A 650 V:n pykälän eristetty kaksinapainen transistori DGD06F65M2 TO-252B DGD06F65M2 TO-252B 650V 6A DGD06F65M2__datasheet.pdf
SiC Schottky Barrier Diodi 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
P-kanavan laajennustilan teho MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100V 30A Laitteen DH100P30AD Specification.pdf
Nopeasti palautuva diodi 20A 400V MUR2040CT TO-220C MUR2040CT -220C 400V 20A 英文版MUR2040CT技术规格书 (2).pdf
96A 30V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5x6-8L 30V 96A Laitteen DH030N03P Specification.pdf
130A 85V N-kanavainen lisätilavirta MOSFET DSP038N08NA DFN5X6 DSP038N08NA DFN5X6 85V 130A Donghai_DSP038N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
60A 300V pikapalautusdiodi MUR60G30NCT TO-3PN MUR60G30NCT TO-3PN 300V 60A 英文版 MUR60G30NCT 技术规格书REV.1.0.pdf
60A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH0159 TO-220C DH0159 -220C 100V 59A Laite DH0159B76 Specification(1).pdf
8A 650 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F8N65 TO-220F F8N65 TO-220F 650V 8A F8N65技术规格书.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com