未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
12A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH850N10D TO-252B DH850N10D TO-252B 100V 12A Laitteen DH850N10D tekniset tiedot (1).pdf
0,8 A 600 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET B1N60 TO-251 B1N60 TO-251B 600V 0,8A
140A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40V 140A Laite DHP035N04 Specification.pdf
500V/5A puolisilta IPM DPQA05HB50MF SOP-11 DPQA05HB50MF SOP-11 500V 5A Donghai_DPQA05HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
100A 85V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH85N08 TO-220C DH85N08 -220C 85V 100A Laite DH85N08 Specification.pdf
450A 1200V puolisiltamoduuli IGBTMmoduli DGB450H120L2T 62mm DGB450H120L2T 62 mm 1200V 450A DGB450H120L2T-REV1.1.pdf
25A 100V N-kanavainen lisätila teho MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 -220C 30V 150A Laite DH025N03 Specification.pdf
120A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30V 120A Laite DH025N03P Specification(1)(1).pdf
60A 68V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70V 56A Donghai_DH105N07P_Datasheet_V1.0 (1).pdf
49A 80V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DH116N08D TO-252B 80V 49A Laite DH116N08 Specification.pdf
TRIAC-sarja 600V/800V 4A BT134-600E TO-126 BT134-600E TO-126 600V/800V 4A 英文版BT134-126技术规格书.pdf
30A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHDZ24 TO-252B DHDZ24 TO-252B 60V 30A Laite DHZ24B31 Specification.pdf
10A 400V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F740 TO-220F F740 TO-220F 400V 10A Device 740 Specification.pdf
20A 100V SchottkyBarrierDiode MBR20100CT TO-252 MBR20100CT TO-252 100V 20A 英文版MBR20100CT技术规格书.pdf
320A 30V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30V 320A Laite DH012N03 Specification.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180A Laitteen DHS020N04D Specification.pdf
320A 30V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 -220C 30V 320A Laite DH012N03 Specification.pdf
-30A -60V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60V -30A Laite DH300P06 Specification.pdf
35 A 120 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120V 35A Laite+DSD270N12N3+Specification+Rev.1.0.pdf
175A 80V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS035N88E TO-263 DHS035N88E TO-263 80V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com