未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

Všetky produkty

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
12A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH850N10D TO-252B DH850N10D TO-252B 100 V 12A Špecifikácia zariadenia DH850N10D (1).pdf
0,8A 600V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET B1N60 TO-251 B1N60 TO-251B 600 V 0,8A
140A 40V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40 V 140A Špecifikácia zariadenia DHP035N04.pdf
500V/5A polovičný mostík IPM DPQA05HB50MF SOP-11 DPQA05HB50MF SOP-11 500 V 5A Donghai_DPQA05HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
100A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH85N08 TO-220C DH85N08 TO-220C 85V 100A Zariadenie DH85N08 Špecifikácia.pdf
450A 1200V Modul polovičného mostíka IGBTMmodul DGB450H120L2T 62mm DGB450H120L2T 62 mm 1200V 450A DGB450H120L2T-REV1.1.pdf
25A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 TO-220C 30 V 150A Zariadenie DH025N03 Špecifikácia.pdf
120A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30 V 120A Špecifikácia zariadenia DH025N03P(1)(1).pdf
60A 68V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70 V 56A Donghai_DH105N07P_Datasheet_V1.0 (1).pdf
49A 80V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH116N08D TO-252B 80 V 49A Zariadenie DH116N08 Špecifikácia.pdf
TRIAC séria 600V/800V 4A BT134-600E TO-126 BT134-600E TO-126 600V/800V 4A 英文版BT134-126技术规格书.pdf
30A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHDZ24 TO-252B DHDZ24 TO-252B 60 V 30A Zariadenie DHZ24B31 Špecifikácia.pdf
10A 400V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET F740 TO-220F F740 TO-220F 400 V 10A Špecifikácia zariadenia 740.pdf
20A 100V SchottkyBarrierDiode MBR20100CT TO-252 MBR20100CT TO-252 100 V 20A 英文版MBR20100CT技术规格书.pdf
320A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30 V 320A Zariadenie DH012N03 Špecifikácia.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40 V 180A Špecifikácia zariadenia DHS020N04D.pdf
320A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 TO-220C 30 V 320A Zariadenie DH012N03 Špecifikácia.pdf
-30A -60V P-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60 V -30A Zariadenie DH300P06 Špecifikácia.pdf
35A 120V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120V 35A Zariadenie+DSD270N12N3+Špecifikácia+Rev.1.0.pdf
175A 80V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS035N88E TO-263 DHS035N88E TO-263 80 V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf

Video o produkte

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com