未命名 (1) (8) (1)
vrata
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nahajate se tukaj: domov » Izdelki
Model:
Paket:
V:
A:
IZBRANE PROIZVODNE LINIJE:

Vsi izdelki

Slika Model Paket V A Podatkovni list Podrobnosti Povpraševanje Dodaj v košarico
10,6 A 650 V N-kanalni Super Junction Power MOSFET DJF380N65T TO-220F DJF380N65T TO-220F 650V 10,6A Specifikacija naprave DJF380N65T Rev.1.0.pdf
80A 1200V Dioda za hitro obnovitev MUR80120 TO-247-2L MUR80120 TO-247-2L 1200V 80A 英文版MUR80120技术规格书.pdf
75A 1200V Polmostni IGBT modul DGA75H120M2T 34mm DGA75H120M2T 34 mm 1200V 75A DGA75H120M2T.pdf
-140A -60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA TO-220C -60V -140A Naprava+DTG050P06LA+Specifikacija+Rev.1.0.pdf
80A 200V Dioda za hitro obnovitev MUR80FU20NCA TO-3PN MUR80FU20NCA TO-3PN 200 V 80A 英文版MUR80FU20NCA技术规格书.pdf
180A 100V N-kanalni način izboljšave moči MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA TO-263 100 V 180A Naprava+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Specifikacija+Rev.1.0.pdf
N-kanalni način izboljšave moči MOSFET 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E TO-263 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+podatkovni list+Rev.1.0.pdf
150A 1200V Polmostni modul IGBT modul DGA150H120M2T 34mm DGA150H120L2T 34 mm 1200V 150A DGA150H120L2T.pdf
40A 1200V bipolarni tranzistor z izoliranimi vrati G40N120D TO-247 G40N120D TO-247 1200V 40A G40N120D - podatkovni list.pdf
12A 650V N-kanalni način izboljšave Power MOSFET F12N65 F12N65 TO-220F 650V 12A 英文版F12N65技术规格书REV1.0.pdf
150A 1200V Polmostni modul IGBT modul DGA150H120M2T 34mm DGA150H120M2T 34 mm 1200V 150A DGA150H120M2T(1).pdf
Bipolarni tranzistor z izoliranimi vrati 6A 650V DGD06F65M2 TO-252B DGD06F65M2 TO-252B 650V 6A DGD06F65M2__podatkovni list.pdf
SiC Schottkyjeva pregradna dioda 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
P-kanalni način za izboljšanje moči MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100 V 30A Specifikacije naprave DH100P30AD.pdf
Dioda za hitro obnovitev 20A 400V MUR2040CT TO-220C MUR2040CT TO-220C 400V 20A 英文版MUR2040CT技术规格书 (2).pdf
96A 30V N-kanalni način izboljšave moči MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5x6-8L 30V 96A Specifikacije naprave DH030N03P.pdf
130A 85V N-kanalni način izboljšave moči MOSFET DSP038N08NA DFN5X6 DSP038N08NA DFN5X6 85V 130A Donghai_DSP038N08NA_Podatkovni list_V1.0.pdf
60A 300V dioda za hitro obnovitev MUR60G30NCT TO-3PN MUR60G30NCT TO-3PN 300 V 60A 英文版 MUR60G30NCT 技术规格书REV.1.0.pdf
60A 100V N-kanalni način izboljšave MOSFET DH0159 TO-220C DH0159 TO-220C 100 V 59A Specifikacija naprave DH0159B76(1).pdf
8A 650V N-kanalni način izboljšave Power MOSFET F8N65 TO-220F F8N65 TO-220F 650V 8A F8N65技术规格书.pdf

Video o izdelku

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prijavite se na naše glasilo
  • pripravite se na prihodnost,
    prijavite se na naše glasilo, da boste prejemali posodobitve neposredno v svoj nabiralnik
    Predloži
Copyright © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com