未命名 (1) (8) (1)
vrata
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nahajate se tukaj: domov » Izdelki » MOSFET » 12V-300V N MOS » 238A 60V N-kanalni način izboljšave Power MOSFET DH026N06 TO-220C

nalaganje

Skupna raba z:
facebook gumb za skupno rabo
gumb za skupno rabo na Twitterju
gumb za skupno rabo linije
gumb za skupno rabo v wechatu
Linkedin gumb za skupno rabo
gumb za skupno rabo na pinterestu
gumb za skupno rabo WhatsApp
deli ta gumb za skupno rabo

238A 60V N-kanalni način izboljšave moči MOSFET DH026N06 TO-220C

238A 60V N-kanalni način izboljšave Power MOSFET
Razpoložljivost:
Količina:
Povprašajte Dodaj v košarico

238A 60V N-kanalni način izboljšave Power MOSFET


1 Opis 

DH026N06 je močnostni MOSFET z N-kanalnim načinom izboljšave, ki uporablja napredno zasnovo tehnologije jarek, zagotavlja odličen Rdson in nizek naboj vrat. Kar je v skladu s standardom RoHS. 


2 Lastnosti 

● Nizka odpornost 

● Nizek naboj vrat 

● Hitro preklapljanje 

● Nizke kapacitivnosti povratnega prenosa 

● 100 % preizkus energije plazovnega plazu z enim impulzom 

● 100% ΔVDS test 


3 Aplikacije 

● Stikalni napajalnik 

● Inverterski sistem za upravljanje napajanja 

● Nadzor električnega orodja 

● Aplikacije avtomobilske elektronike

VDSS RDS (vklopljen) (TYP) ID
60V 2,6 mΩ 238A


Prejšnja: 
Naprej: 
238A 60V N-kanalni način izboljšave Power MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prijavite se na naše glasilo
  • pripravite se na prihodnost,
    prijavite se na naše glasilo, da boste prejemali posodobitve neposredno v svoj nabiralnik
    Predloži
Copyright © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com