gerbang
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Anda di sini: Rumah » Produk » MOSFET » 12V-300V n Mos » 238a 60V N-Channel Mode Peningkatan Daya MOSFET DH026N06 TO-220C

memuat

Bagikan ke:
Tombol Berbagi Facebook
Tombol Berbagi Twitter
Tombol Berbagi Baris
Tombol Berbagi WeChat
Tombol Berbagi LinkedIn
Tombol Berbagi Pinterest
Tombol Berbagi WhatsApp
Tombol Berbagi Sharethis

238A 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DH026N06 TO-220C

238A 60V N-Channel Enhancement Mode Power Power MOSFET
Ketersediaan:
Kuantitas:

238A 60V N-saluran Mode Peningkatan MOSFET


1 deskripsi 

DH026N06 adalah mode peningkatan N-saluran daya MOSFET yang menggunakan desain teknologi parit canggih, asalkan RDson yang sangat baik dan biaya gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS. 


2 fitur 

● Rendah pada resistensi 

● Biaya gerbang rendah 

● Pergantian cepat 

● Kapasitansi transfer terbalik rendah 

● Tes energi longsor pulsa tunggal 100% 

● Tes 100% ΔVDS 


3 aplikasi 

● Beralih catu daya 

● Sistem Manajemen Daya Inverter 

● Kontrol alat daya 

● Aplikasi elektronik otomotif

VDSS RDS (on) (Typ) PENGENAL
60v 2.6mΩ 238a


Sebelumnya: 
Berikutnya: 
  • Mendaftar untuk buletin kami
  • Bersiaplah untuk Masa Depan
    Mendaftar untuk Buletin Kami Untuk Mendapatkan Pembaruan Langsung Ke Kotak Masuk Anda