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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET di potenza a super giunzione a canale N da 10,6 A 650 V DJF380N65T TO-220F DJF380N65T TO-220F 650 V 10,6A Specifiche del dispositivo DJF380N65T Rev.1.0.pdf
Diodo a recupero rapido 80A 1200V MUR80120 TO-247-2L MUR80120 TO-247-2L 1200 V 80A 英文版MUR80120技术规格书.pdf
Modulo IGBT mezzo ponte 75A 1200V DGA75H120M2T 34mm DGA75H120M2T 34 mm 1200 V 75A DGA75H120M2T.pdf
-140A -60V MOSFET di potenza modalità potenziamento canale P DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA TO-220C -60V -140A Dispositivo+DTG050P06LA+Specifica+Rev.1.0.pdf
Diodo a recupero rapido 80A 200V MUR80FU20NCA TO-3PN MUR80FU20NCA TO-3PN 200 V 80A 英文版MUR80FU20NCA技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 180 A 100 V DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA TO-263 100 V 180A Dispositivo+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Specifica+Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E TO-263 60 V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+scheda tecnica+Rev.1.0.pdf
Modulo IGBT modulo mezzo ponte 150A 1200V DGA150H120M2T 34mm DGA150H120L2T 34 mm 1200 V 150A DGA150H120L2T.pdf
Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 40A 1200V G40N120D TO-247 G40N120D TO-247 1200 V 40A G40N120D - scheda tecnica.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 12 A 650 V F12N65 F12N65 TO-220F 650 V 12A 英文版F12N65技术规格书REV1.0.pdf
Modulo IGBT modulo mezzo ponte 150A 1200V DGA150H120M2T 34mm DGA150H120M2T 34 mm 1200 V 150A DGA150H120M2T(1).pdf
Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 6A 650V DGD06F65M2 TO-252B DGD06F65M2 TO-252B 650 V 6A DGD06F65M2__datasheet.pdf
 Diodo barriera Schottky SiC 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
Modalità di potenziamento canale P MOSFET di potenza 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100 V 30A Specifiche del dispositivo DH100P30AD.pdf
 Diodo a recupero rapido 20A 400V MUR2040CT TO-220C MUR2040CT TO-220C 400 V 20A 英文版MUR2040CT技术规格书 (2).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 96 A 30 V DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5x6-8L 30 V 96A Specifiche del dispositivo DH030N03P.pdf
MOSFET di potenza DSP038N08NA DFN5X6 in modalità potenziamento canale N da 130 A 85 V DSP038N08NA DFN5X6 85 V 130A Donghai_DSP038N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo a recupero rapido 60A 300V MUR60G30NCT TO-3PN MUR60G30NCT TO-3PN 300 V 60A 英文版 MUR60G30NCT 技术规格书REV.1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 60 A 100 V DH0159 TO-220C DH0159 TO-220C 100 V 59A Specifiche del dispositivo DH0159B76(1).pdf
MOSFET di potenza F8N65 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 8 A 650 V F8N65 TO-220F 650 V 8A F8N65技术规格书.pdf

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