未命名(1)(8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkter
Modell:
Paket:
V:
A:
VALDA PRODUKTRADER:

Alla produkter

Bild Modell Paket V A Datablad Detaljer Förfrågan Lägg i kundvagnen
12A 100V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH850N10D TO-252B DH850N10D TO-252B 100V 12A Enhet DH850N10D Specifikation (1).pdf
0,8A 600V N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET B1N60 TO-251 B1N60 TO-251B 600V 0,8A
140A 40V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40V 140A Enhet DHP035N04 Specifikation.pdf
500V/5A Halvbro IPM DPQA05HB50MF SOP-11 DPQA05HB50MF SOP-11 500V 5A Donghai_DPQA05HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
100A 85V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH85N08 TO-220C DH85N08 TO-220C 85V 100A Enhet DH85N08 Specifikation.pdf
450A 1200V Halvbryggmodul IGBTModule DGB450H120L2T 62mm DGB450H120L2T 62 mm 1200V 450A DGB450H120L2T-REV1.1.pdf
25A 100V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 TO-220C 30V 150A Enhet DH025N03 Specifikation.pdf
120A 30V N-kanals förbättringsläge Effekt MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30V 120A Enhet DH025N03P Specifikation(1)(1).pdf
60A 68V N-kanals förbättringsläge Effekt MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70V 56A Donghai_DH105N07P_Datablad_V1.0 (1).pdf
49A 80V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET DH116N08D TO-252B 80V 49A Enhet DH116N08 Specifikation.pdf
TRIAC-serien 600V/800V 4A BT134-600E TO-126 BT134-600E TO-126 600V/800V 4A 英文版BT134-126技术规格书.pdf
30A 60V N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET DHDZ24 TO-252B DHDZ24 TO-252B 60V 30A Enhet DHZ24B31 Specification.pdf
10A 400V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET F740 TO-220F F740 TO-220F 400V 10A Enhet 740 Specification.pdf
20A 100V SchottkyBarrierDiode MBR20100CT TO-252 MBR20100CT TO-252 100V 20A 英文版MBR20100CT技术规格书.pdf
320A 30V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30V 320A Enhet DH012N03 Specifikation.pdf
N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180A Enhet DHS020N04D Specifikation.pdf
320A 30V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 TO-220C 30V 320A Enhet DH012N03 Specifikation.pdf
-30A -60V P-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60V -30A Enhet DH300P06 Specification.pdf
35A 120V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120V 35A Enhet+DSD270N12N3+Specifikation+Rev.1.0.pdf
175A 80V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS035N88E TO-263 DHS035N88E TO-263 80V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf

Produktvideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Anmäl dig till vårt nyhetsbrev
  • gör dig redo för framtiden
    registrera dig för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt i din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023​​​​​​​Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com