未命名(1)(8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkter
Modell:
Paket:
V:
A:
VALDA PRODUKTRADER:

Alla produkter

Bild Modell Paket V A Datablad Detaljer Förfrågan Lägg i kundvagnen
36A 1200V N-kanal SIC Power MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M170G2 TO-247 1700V 37A Donghai_DCC080M170G2_Datasheet_V1.0.pdf
238A 60V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH026N06E TO-263 DH026N06E TO-263 60V 238A Enhet DH026N06 Specifikation.pdf
80A 68V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH072N07E TO-263 DH072N07E TO-263 68V 80A Enhet DH072N07 Specifikation.pdf
30A 100V Schottky Barriärdiod TO-220F MBRF30100CT MBRF30100CT TO-220F 100V 30A 英文版MBRF30100CT技术规格书REV1.1.pdf
80A 68V N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07D TO-252B 68V 80A Enhet DH072N07 Specifikation.pdf
100A 30V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH033N03D TO-252B DH033N03D TO-252B 30V 100A Enhet DH033N03 Specifikation(1).pdf
F20N50/20N50B
110A 85V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS055N85E TO-263 DHS055N85E TO-263 85V 110A Enhet DHS055N85 Specifikation.pdf
180A 100V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS035N10 TO-220 DHS035N10 TO-220C 100V 180A Enhet+DHS035N10&DHS035N10E+Specifikation+Rev.1.0 (1).pdf
160A 650V Halvbryggmodul IGBTModule DGA160H65M2T 34mm DGA160H65M2T 34 mm 650V 160A DGA160H65M2T.pdf
NPN Epitaxial Silicon Transistor MJD127 TO-252 Paket MJD127 TO-252 -100V -5A 英文版TIP127MJD127技术规格书.pdf
1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET DCC016M120G3 TO-247 DCC016M120G3 TO-247 1200V 110A Donghai_DCC016M120G3_datasheet_V1.0.pdf
116A 68V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET DH070N07 TO-220C 70V 100A Donghai_DH070N07(T0F)_Datablad_V1.0.pdf
40A 1200V Halvbryggmodul IGBTModule DGA40H120M2T 34mm DGA40H120M2T 34 mm 1200V 40A DGA40H120M2T-REV1.0.pdf
8N65/F8N65
60A 68V N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET DHD50N06 TO-252B DHD50N06 TO-252B 68V 60A Enhet 50N06B34 Specifikation.pdf
DGA75H65M2T
740/F740/I740/ E740/B740/D740
112A 85V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS043N85P DFN5X6 DHS043N85P DFN5*6 85V 112A Enhet DHS043N85P Specifikation-Rev.1.0.pdf
108A 85V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS042N85P DFN5*6-8 DHS042N85P DFN5*6-8 85V 108A Donghai_DHS042N85P_Datablad_v1.0.pdf

Produktvideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Anmäl dig till vårt nyhetsbrev
  • gör dig redo för framtiden
    registrera dig för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt i din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023​​​​​​​Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com