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MOSFET di potenza B5N65 TO-251B in modalità potenziamento canale N da 5 A 650 V B5N65 TO-251B 650 V 5A 英文版B5N65技术规格书MAX.pdf
MOSFET di potenza F10N60 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 10 A 600 V F10N60 TO-220F 600 V 10A 英文版F10N60技术规格书.pdf
MOSFET di potenza SiC a canale N da 20 mΩ 650 V DCC020M65G2 TO-247 DCC020M65G2 TO-247 650 V 92A Donghai_DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N 10A 650V 10N65 TO-220C 10N65 TO-220C 650 V 10A 英文版10N65技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 13 A 500 V 13N50 TO-220C 13N50 TO-220C 500 V 13A 英文版13N50技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 4A 800V B4N80 TO-251B B4N80 TO-251B 800 V 4A 英文版B4N80技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 4 A 1500 V DH4N150F TO-3PF DH4N150F TO-3PF 1500 V 4A 英文版DH4N150F技术规格书.pdf
MOSFET di potenza SIC a canale N 41A 650V DCC060M65G2 TO-247 DCC060M65G2 TO-247 650 V 41A Donghai_DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo a barriera Schottky SiC da 5 A 1200 V DCD05D120G3
MOSFET di potenza F14N65 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 14 A 650 V F14N65 TO-220F 650 V 14A 英文版F14N65技术规格书AY3.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 25A 650V DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
Modalità di miglioramento a canale N MOSFET di potenza 10A 600V 10N60 10N60
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 5 A 500 V 5N50 5N50
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 5A 650V 5N65C TO-220C 5N65C TO-220C 650 V 5A 英文版5N65C技术规格书.pdf
MOSFET di potenza F10N80 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 10 A 800 V F10N80 TO-220F 800 V 10A 英文版F10N80技术规格书.pdf
MOSFET di potenza DHS015N06 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 180 A 60 V DHS015N06 TO-220C 60 V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+scheda tecnica+Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza a giunzione eccellente a canale N 16A 650V DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) 650 V 16A Donghai DHSJ21N65Z Scheda tecnica V1.0(1).pdf
MOSFET di potenza modalità potenziamento canale N 13A 500V E13N50 TO-263 E13N50 TO-263 500 V 13A 英文版E13N50技术规格书.pdf
Modulo IGBT mezzo ponte 50A 1200V DHG50N120D 34mm DHG50N120D 34 mm 1200 V 50A DHG50N120D.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 TO-251B 700 V 7A 英文版B7N70技术规格书.pdf

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