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Pacchetto TIP122 TO-220M per transistor epitassiale al silicio NPN SUGGERIMENTO127 TO-220M -100 V -5A 英文版TIP127MJD127技术规格书.pdf
Diodo a recupero rapido 8A 600V MUR860 TO-220-2L MUR860 TO-220-2L 600 V 8A 英文版MUR860技术规格书220-2L.pdf
Pacchetto TIP122 TO-220M per transistor epitassiale al silicio NPN SUGGERIMENTO122 TO-220M 100 V 5A 英文版TIP122MJD122技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85 V 120A Specifiche del dispositivo DHS045N88-Rev.1.0.pdf
Diodo a recupero rapido 60A 300V MUR6030DCS TO-3P MUR6030DCS TO-3P 300 V 60A 英文版 MUR6030DCS技术规格书.pdf
-30A -100V MOSFET di potenza modalità potenziamento canale P DH100P30CD TO-252B DH100P30CD TO-252B -100 V -30A Specifiche del dispositivo DH100P30CB1Q.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100 V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85 V 120A Specifiche del dispositivo DHS045N88-Rev.1.0.pdf
Modulo IGBT modulo mezzo ponte 100A 650V DGA100H65M2T 34mm DGA100H65M2T 34 mm 650 V 100A DGA100H65M2T.pdf
Transistor bipolare a gate isolato 18A 650V DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650 V 18A Specifiche del dispositivo DHG20T65D (TO-220F).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 110A 100V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100 V 110A Specifiche del dispositivo DHS052N10.pdf
7N65/F7N65/B7N65/D7N65
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100 V 110A Specifiche del dispositivo DHS052N10.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 20 A 500 V 20N50B TO-247 20N50B TO-247 500 V 20A Specifiche del dispositivo 20N50(1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 50 A 120 V DH150N12D TO-252B DH150N12D TO-252B 120 V 50A Specifiche del dispositivo DH150N12.pdf
Modalità di miglioramento canale P MOSFET di potenza 30A 100V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB TO-251B 100 V 30A
Diodo a recupero rapido 10A 700V MURF1070 TO-220F-2L MURF1070 TO-220F 700 V 10A 英文版MUR1070技术规格书.pdf
Diodo barriera Schottky da 20 A 100 V MBR20100CT TO-252 MJD122 TO-252 100 V 5A 英文版TIP122MJD122技术规格书.pdf
MOSFET di potenza DHD80N03 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 40 A 30 V DHD80N03 TO-252B 30 V 40A Donghai_DHD80N03_Datasheet_V3.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 47 A 100 V DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5X6 100 V 47A Specifiche del dispositivo DH135N10P.pdf

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