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Pacote do transistor de silicone epitaxial NPN TIP122 TO-220M DICA 127 PARA-220M -100V -5A 英文版TIP127MJD127技术规格书.pdf
Diodo de recuperação rápida 8A 600V MUR860 TO-220-2L MUR860 TO-220-2L 600 V 8A 英文版MUR860技术规格书220-2L.pdf
Pacote do transistor de silicone epitaxial NPN TIP122 TO-220M DICA 122 PARA-220M 100 V 5A 英文版TIP122MJD122技术规格书.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85V 120A Especificação do dispositivo DHS045N88-Rev.1.0.pdf
Diodo de recuperação rápida 60A 300V MUR6030DCS TO-3P MUR6030DCS PARA-3P 300V 60A 英文版 MUR6030DCS技术规格书.pdf
-30A -100V Modo de aprimoramento de canal P MOSFET DH100P30CD TO-252B DH100P30CD PARA-252B -100V -30A Especificação do dispositivo DH100P30CB1Q.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100 V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E PARA-263 85V 120A Especificação do dispositivo DHS045N88-Rev.1.0.pdf
Módulo IGBT de meia ponte 100A 650V módulo DGA100H65M2T 34mm DGA100H65M2T 34mm 650 V 100A DGA100H65M2T.pdf
18A 650V transistor bipolar de porta isolada DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650 V 18A Especificação do dispositivo DHG20T65D (TO-220F).pdf
Potência do modo de aprimoramento de canal N MOSFET 110A 100V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D PARA-252B 100 V 110A Especificação do dispositivo DHS052N10.pdf
7N65/F7N65/B7N65/D7N65
Potência do modo de aprimoramento de canal N MOSFET 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100 V 110A Especificação do dispositivo DHS052N10.pdf
20A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 20N50B TO-247 20N50B PARA-247 500 V 20A Especificação do dispositivo 20N50(1).pdf
50A 120V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D PARA-252B 120V 50A Especificação do dispositivo DH150N12.pdf
Modo de aprimoramento de canal P Power MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB TO-251B 100 V 30A
Diodo de recuperação rápida 10A 700V MURF1070 TO-220F-2L MURF1070 TO-220F 700 V 10A 英文版MUR1070技术规格书.pdf
20A 100V SchottkyBarrierDiode MBR20100CT TO-252 MJD122 PARA-252 100 V 5A 英文版TIP122MJD122技术规格书.pdf
40A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 PARA-252B 30V 40A Donghai_DHD80N03_Datasheet_V3.0.pdf
47A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5X6 100 V 47A Especificação do dispositivo DH135N10P.pdf

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