portão
Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
Você está aqui: Lar » Produtos
Modelo:
Pacote:
V:
UM:
LINHAS DE PRODUTOS SELECIONADAS:

Todos os produtos

de imagem de modelo Pacote V A Ficha técnica Detalhes Consulta Adicionar ao carrinho
5A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET B5N65 TO-251B B5N65 TO-251B 650 V 5A 英文版B5N65技术规格书MAX.pdf
10A 600V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F10N60 TO-220F F10N60 TO-220F 600 V 10A 英文版F10N60技术规格书.pdf
20mΩ 650V canal N SiC Power MOSFET DCC020M65G2 TO-247 DCC020M65G2 PARA-247 650 V 92A Donghai_DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
 Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 10A 650V 10N65 TO-220C 10N65 TO-220C 650 V 10A 英文版10N65技术规格书.pdf
13A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 13N50 TO-220C 13N50 TO-220C 500 V 13A 英文版13N50技术规格书.pdf
 Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 4A 800V B4N80 TO-251B B4N80 TO-251B 800V 4A 英文版B4N80技术规格书.pdf
4A 1500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH4N150F TO-3PF DH4N150F TO-3PF 1500 V 4A 英文版DH4N150F技术规格书.pdf
41A 650V canal N SIC Power MOSFET DCC060M65G2 TO-247 DCC060M65G2 PARA-247 650 V 41A Donghai_DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
diodo de barreira 5A 1200V SiC Schottky DCD05D120G3
14A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F14N65 TO-220F F14N65 TO-220F 650 V 14A 英文版F14N65技术规格书AY3.pdf
diodo de barreira sic Schottky DCET20D65G3 TO-263-2 de 25A 650V DCET20D65G3
 Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 10A 600V 10N60 10N60
5A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 5N50 5N50
 Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 5A 650V 5N65C TO-220C 5N65C TO-220C 650 V 5A 英文版5N65C技术规格书.pdf
10A 800V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F10N80 TO-220F F10N80 TO-220F 800V 10A 英文版F10N80技术规格书.pdf
180A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS015N06 TO-220C DHS015N06 TO-220C 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+folha de dados+Rev.1.0.pdf
16A 650V canal N Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65Z PDFN4 (8*8) DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) 650 V 16A Donghai DHSJ21N65Z Ficha técnica V1.0(1).pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 13A 500V E13N50 TO-263 E13N50 PARA-263 500 V 13A 英文版E13N50技术规格书.pdf
Módulo IGBT meia ponte 50A 1200V DHG50N120D 34mm DHG50N120D 34mm 1200 V 50A DHG50N120D.pdf
 Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 TO-251B 700 V 7A 英文版B7N70技术规格书.pdf

Vídeo do produto

  • Inscreva-se em nosso boletim informativo
  • prepare-se para o futuro
    inscreva-se em nosso boletim informativo para receber atualizações diretamente em sua caixa de entrada