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江蘇東海半導体有限公司
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NPNエピタキシャルシリコントランジスタTIP122 TO-220Mパッケージ ヒント127 TO-220M -100V -5A 和訳版TIP127MJD127技術术规格书.pdf
 ファストリカバリダイオード 8A 600V MUR860 TO-220-2L MUR860 TO-220-2L 600V 8A 和訳版MUR860技術术规格书220-2L.pdf
NPNエピタキシャルシリコントランジスタTIP122 TO-220Mパッケージ ヒント122 TO-220M 100V 5A 和訳版TIP122MJD122技術术规格书.pdf
NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85V 120A デバイス DHS045N88 仕様 - Rev.1.0.pdf
ファストリカバリダイオード 60A 300V MUR6030DCS TO-3P MUR6030DCS TO-3P 300V 60A 和訳版 MUR6030DCS技術术规格书.pdf
-30A -100V P チャネルエンハンスメントモードパワー MOSFET DH100P30CD TO-252B DH100P30CD TO-252B -100V -30A デバイス DH100P30CB1Q 仕様.pdf
 NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100V 68A 東海_DH140N10B&DH140N10D_データシート_V1.0.pdf
NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85V 120A デバイス DHS045N88 仕様 - Rev.1.0.pdf
100A 650V ハーフブリッジモジュール IGBT モジュール DGA100H65M2T 34mm DGA100H65M2T 34mm 650V 100A DGA100H65M2T.pdf
18A 650V 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650V 18A デバイス DHG20T65D 仕様書(TO-220F).pdf
 NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET 110A 100V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100V 110A デバイス DHS052N10 仕様.pdf
7N65/F7N65/B7N65/D7N65
 NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100V 110A デバイス DHS052N10 仕様.pdf
20A 500V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET 20N50B TO-247 20N50B TO-247 500V 20A デバイス 20N50 仕様(1).pdf
50A 120V NチャンネルエンハンスメントモードパワーMOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D TO-252B 120V 50A デバイス DH150N12 仕様.pdf
PチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB TO-251B 100V 30A
10A 700V ファストリカバリダイオード MURF1070 TO-220F-2L MURF1070 TO-220F 700V 10A 和訳版MUR1070技術术规格书.pdf
20A 100V ショットキーバリアダイオード MBR20100CT TO-252 MJD122 TO-252 100V 5A 和訳版TIP122MJD122技術术规格书.pdf
40A 30V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 TO-252B 30V 40A 東海_DHD80N03_データシート_V3.0.pdf
47A 100V NチャンネルエンハンスメントモードパワーMOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5X6 100V 47A デバイス DH135N10P 仕様.pdf

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