brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
Vybrané produktové řady:

Všechny produkty

obrázku modelu Balíček V a o datovém listu podrobnosti dotaz Přidat do koše
60A 20V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH048N02B/DH048N02D
320a 20V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH009N02U
90a 40V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH045N04 TO-220C DH045N04 TO-220C 40V 90a Zařízení DH045N04 Specifikace.pdf
170a 100v n-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100v 170a DSG030N10N3 & DSE028N10N3_DATASHEET_V1.0.pdf
238a 60V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH026N06 TO-220C DH026N06 TO-220C 60V 238a Zařízení DH026N06 Specifikace.pdf
120a 40V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH033N04 TO-220C DH033N04 TO-220C 40V 120a Zařízení DH033N04 Specifikace.pdf
60A 40V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH065N04P DFN5X6 DH065N04P DFN5X6 40V 60a Zařízení DH065N04P Specifikace.pdf
105a 68V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS055N07 TO-220C DHS055N07 TO-220C 68v 105a Donghai+DHS055N07 & DHS055N07E+Datasheet+V2.0 .pdf
180a 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 TO-220C 40V 180a Donghai+DHS021N04 & DHS021N04E+Datasheet+V3.0.pdf
20A 650V SIC SCHOTTKY BARIER DC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 TO-247 650V 20a Zařízení DCC20D65G4 Specifikace.pdf
100A 85V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH85N08 TO-220C DH85N08 TO-220C 85v 100a Zařízení DH85N08 Specifikace.pdf
80a 40V režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D TO-252B 40V 80a Zařízení DH065N04 Specifikace.pdf
Sic Schottky Barier Diode 10A 650V DCGT10D65G4 TO-220-2L DCGT10D65G4 TO-220-2L 650V 10a Zařízení DCGT10D65G4 Specification.pdf
100A 70V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS043N07P DFN5X6 DHS043N07P DFN5X6 70V 100a Dhs043n07p_datasheet_v2.0+.pdf
120a 60V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH065N06/DH065N06E/DH065N06D/DH065N06P DH065N06 TO-220C 60V 120a Zařízení+DH065N06+Specifikace+Rev.2.0.pdf
250a 40V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH019N04 TO-220C DH019N04 TO-220C 40V 250a Zařízení DH019N04 Specifikace.pdf
10A 650V SIC SCHOTTKY BARIER DIOD DCD10D65G4 TO-252B 650V 10a Zařízení DCD10D65G4 Specification.pdf
8A 650V SIC SCHOTTKY BARIER DIODE DCGT08D65G4 TO-220-2L DCGT08D65G4 TO-220-2L 650V 8a Zařízení DCGT08D65G4 Specification.pdf
49a 80V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DH116N08D TO-252B 80V 49a Zařízení DH116N08 Specifikace.pdf
 Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 100A 85V DH050N85 / DH050N85E

Video produktu

  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty