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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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25a 100V Modo de mejora del canal P potencia MOSFET DH100P25D TO 252B DH100P25D A 252b -100V -25a Dispositivo DH100P25 Especificación.PDF
 Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 145A 60V DH045N06 a 220C DH045N06 A 220c 60V 145a Dispositivo DH045N06 Especificación.PDF
Modo de mejora del canal 8 80A de 100V MOSFET DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P Dfn5x6 100V 80A Dispositivo DHS065N10P Especificación (1) .pdf
DHS051N10P DFN5X6 DHS051N10P Dfn5x6 100V 108a Dispositivo DHS051N10P Especificación (2) .pdf
DSG041N08NA TO-220C DSG041N08NA A 220c 85V 180A Dispositivo+DSG041N08NA+Especificación+Rev.1.0.pdf
10A 150V Schottkybarrierdiode MBR10150CT TO-263 MBR10150CT A 263 150V 10A MBR10150CT 技术规格书 .pdf
Modo de mejora del canal de N 100A 68V MOSFET DH3205A TO-220C DH3205A A 220c 68V 100A Dispositivo DH3205A Especificación.PDF
DH019N04P DFN5X6-8 DH019N04P
 Modo de mejora de canal N potencia MOSFET 120A 30V DH030N03B41/DH030N03FB41/DH030N03EB41/DH030N03BB41/DH030N03DB41
65A 100V MODSE MODENCIA DE MEDIA DE MEDIA DEL CANAL DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
180A 68V N-Canal Modo de mejora de potencia MOSFET DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E
120A100V Modo de mejora del canal MOSFET D120N10 A 220c 100V 120a Dispositivo D120N10ZR Especificación.PDF
20n90d/20n90b
13N90
9N90/F9N90/E9N90
6N90/F6N90
7N80/F7N80/E7N80
10N80/F10N80/E10N80
DHU3N90/DHD3N90
F4N80/B4N80

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