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Paquete de transistor de silicio epitaxial NPN TIP122 TO-220M CONSEJO127 A-220M -100V -5A 英文版TIP127MJD127技术规格书.pdf
Diodo de recuperación rápida 8A 600V MUR860 TO-220-2L MUR860 TO-220-2L 600V 8A 英文版MUR860技术规格书220-2L.pdf
Paquete de transistor de silicio epitaxial NPN TIP122 TO-220M CONSEJO122 A-220M 100V 5A 英文版TIP122MJD122技术规格书.pdf
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MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E A-263 85V 120A Especificación del dispositivo DHS045N88-Rev.1.0.pdf
Módulo de medio puente 100A 650V módulo IGBT DGA100H65M2T 34mm DGA100H65M2T 34mm 650V 100A DGA100H65M2T.pdf
Transistor bipolar de puerta aislada 18A 650V DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650V 18A Especificación del dispositivo DHG20T65D (TO-220F).pdf
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7N65/F7N65/B7N65/D7N65
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100V 110A Especificación del dispositivo DHS052N10.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 20A 500V 20N50B TO-247 20N50B A-247 500V 20A Especificación del dispositivo 20N50(1).pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 50A 120V DH150N12D TO-252B DH150N12D TO-252B 120V 50A Especificación del dispositivo DH150N12.pdf
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Diodo de barrera Schottky 20A 100V MBR20100CT TO-252 MJD122 A-252 100V 5A 英文版TIP122MJD122技术规格书.pdf
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