ច្រកទ្វារ
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
អ្នកនៅទីនេះ៖ ផ្ទះ » ផលិតផល
ម៉ូដែល៖
កញ្ចប់៖
វី៖
ក៖
បន្ទាត់ផលិតផលដែលបានជ្រើសរើស៖

ផលិតផលទាំងអស់។

រូបភាព គំរូ កញ្ចប់ V A ឯកសារទិន្នន័យ ព័ត៌មានលម្អិត ការសាកសួរ បន្ថែមទៅកញ្ចប់
5A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET B5N65 TO-251B B5N65 TO-251B 650V 5A 英文版B5N65技术规格书MAX.pdf
10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F10N60 TO-220F F10N60 TO-220F 600V 10A 英文版F10N60技术规格书.pdf
20mΩ 650V N-channel SiC Power MOSFET DCC020M65G2 TO-247 DCC020M65G2 ដល់-២៤៧ 650V ៩២ ក Donghai_DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
 N-channel Enhancement Mode ថាមពល MOSFET 10A 650V 10N65 TO-220C 10N65 ដល់ -២២០ អង្សាសេ 650V 10A 英文版10N65技术规格书.pdf
13A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 13N50 TO-220C ១៣N៥០ ដល់ -២២០ អង្សាសេ 500V ១៣ ក 英文版13N50技术规格书.pdf
 N-channel Enhancement Mode ថាមពល MOSFET 4A 800V B4N80 TO-251B B4N80 TO-251B 800V 4A 英文版B4N80技术规格书.pdf
4A 1500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH4N150F TO-3PF DH4N150F TO-3PF 1500V 4A 英文版DH4N150F技术规格书.pdf
41A 650V N-channel SIC Power MOSFET DCC060M65G2 TO-247 DCC060M65G2 ដល់-២៤៧ 650V ៤១ ក Donghai_DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
5A 1200V SiC Schottky Barrier Diode DCD05D120G3
14A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F14N65 TO-220F F14N65 TO-220F 650V ១៤ ក 英文版F14N65技术规格书AY3.pdf
25A 650V SiC Schottky Barrier Diode DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
 N-channel Enhancement Mode ថាមពល MOSFET 10A 600V 10N60 10N60
5A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 5N50 5N50
 N-channel Enhancement Mode ថាមពល MOSFET 5A 650V 5N65C TO-220C 5N65C ដល់ -២២០ អង្សាសេ 650V 5A 英文版5N65C技术规格书.pdf
10A 800V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F10N80 TO-220F F10N80 TO-220F 800V 10A 英文版F10N80技术规格书.pdf
180A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS015N06 TO-220C DHS015N06 ដល់ -២២០ អង្សាសេ 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+សន្លឹកទិន្នន័យ+Rev.1.0.pdf
16A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) 650V ១៦ ក សន្លឹកទិន្នន័យ Donghai DHSJ21N65Z V1.0(1).pdf
N-channel Enhancement Mode ថាមពល MOSFET 13A 500V E13N50 TO-263 E13N50 ដល់-២៦៣ 500V ១៣ ក 英文版E13N50技术规格书.pdf
ម៉ូឌុល IGBT 50A 1200V ពាក់កណ្តាលស្ពាន DHG50N120D 34mm DHG50N120D ៣៤ ម។ 1200V 50A DHG50N120D.pdf
 N-channel Enhancement Mode ថាមពល MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 TO-251B 700V ៧ ក 英文版B7N70技术规格书.pdf

វីដេអូផលិតផល

  • ចុះឈ្មោះសម្រាប់ព្រឹត្តិប័ត្រព័ត៌មានរបស់យើង។
  • ត្រៀមខ្លួនសម្រាប់
    ការចុះឈ្មោះនាពេលអនាគតសម្រាប់ព្រឹត្តិបត្រព័ត៌មានរបស់យើងដើម្បីទទួលបានព័ត៌មានថ្មីៗត្រង់ទៅកាន់ប្រអប់សំបុត្ររបស់អ្នក។