الفنادق (1)(8) (1)
بوابة
شركة جيانغسو دونغهاي لأشباه الموصلات المحدودة
أنت هنا : بيت » المنتجات
نموذج:
طَرد:
الخامس:
ج:
خطوط المنتجات المختارة:

جميع المنتجات

الصورة نموذج حزمة V A ورقة البيانات تفاصيل الاستفسار أضف إلى السلة
5A 650V N-channel وضع التحسين الطاقة MOSFET B5N65 TO-251B B5N65 TO-251B 650 فولت 5 أ قراءة كتاب B5N65 الجديد MAX.pdf
10A 600V N-channel وضع التحسين الطاقة MOSFET F10N60 TO-220F F10N60 TO-220F 600 فولت 10 أ قراءة المزيد عن F10N60.pdf
20mΩ 650V N-channel SiC Power MOSFET DCC020M65G2 TO-247 DCC020M65G2 TO-247 650 فولت 92 أ Donghai_DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
وضع تحسين القناة N الطاقة MOSFET 10A 650V 10N65 TO-220C 10N65 TO-220C 650 فولت 10 أ كتاب 10N65 الجديد.pdf
13A 500V N-channel وضع التحسين الطاقة MOSFET 13N50 TO-220C 13N50 TO-220C 500 فولت 13 أ كتاب 13N50 الجديد في الطب.pdf
وضع تحسين القناة N الطاقة MOSFET 4A 800V B4N80 TO-251B B4N80 TO-251B 800 فولت 4 أ قراءة كتاب B4N80 الجديد.pdf
4A 1500V N-channel وضع التحسين الطاقة MOSFET DH4N150F TO-3PF DH4N150F TO-3PF 1500 فولت 4 أ قراءة المزيد عن DH4N150F.pdf
41A 650V N-channel SIC Power MOSFET DCC060M65G2 TO-247 DCC060M65G2 TO-247 650 فولت 41 أ Donghai_DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
5A 1200V SiC شوتكي حاجز ديود DCD05D120G3
14A 650V N-channel وضع التحسين الطاقة MOSFET F14N65 TO-220F F14N65 TO-220F 650 فولت 14 أ قراءة كتاب F14N65 الجديد في AY3.pdf
25A 650V SiC شوتكي حاجز ديود DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
وضع تعزيز القناة N الطاقة MOSFET 10A 600V 10N60 10N60
5A 500V N-channel وضع تعزيز الطاقة MOSFET 5N50 5N50
وضع تحسين القناة N الطاقة MOSFET 5A 650V 5N65C TO-220C 5N65C TO-220C 650 فولت 5 أ قراءة كتاب 5N65C.pdf
10A 800V N-channel وضع التحسين الطاقة MOSFET F10N80 TO-220F F10N80 TO-220F 800 فولت 10 أ قراءة المزيد عن F10N80.pdf
180A 60V N-channel وضع التحسين الطاقة MOSFET DHS015N06 TO-220C DHS015N06 TO-220C 60 فولت 180 أ دونغهاي+DHS015N06&DHS015N06E+ورقة البيانات+Rev.1.0.pdf
16A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) 650 فولت 16 أ ورقة بيانات Donghai DHSJ21N65Z V1.0(1).pdf
وضع تحسين القناة N الطاقة MOSFET 13A 500V E13N50 TO-263 E13N50 TO-263 500 فولت 13 أ كتاب E13N50 للكتاب المقدس.pdf
50A 1200V نصف جسر IGBT وحدة DHG50N120D 34mm دي إتش جي 50 إن 120 دي 34 ملم 1200 فولت 50 أ DHG50N120D.pdf
وضع تعزيز القناة N الطاقة MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B ب7ن70 TO-251B 700 فولت 7 أ كتاب B7N70 الجديد.pdf

فيديو المنتج

  • شركة جيانغسو دونغهاي لأشباه الموصلات المحدودة
  • اشترك في النشرة الإخبارية لدينا
  • استعد للمستقبل،
    اشترك في النشرة الإخبارية لدينا للحصول على التحديثات مباشرة في صندوق البريد الوارد الخاص بك
    يُقدِّم
حقوق الطبع والنشر © 2023جيانغسو دونغهاي لأشباه الموصلات المحدودة التكنولوجيا بواسطة Leadong.com