وضع تحسين القناة N Power MOSFET 10A 650V 10N65 TO-220C

وضع تحسين القناة N Power MOSFET 10A 650V

1 الوصف

يتم الحصول على هذه القناة N المعززة VDMOSFETs ، من خلال تقنية مستوية محاذاة ذاتيا والتي تقلل من فقدان التوصيل ، وتحسين أداء التبديل وتعزيز طاقة الانهيار. الذي يتوافق مع معيار ROHS.

2 ميزات 

● التبديل السريع 

● ESD تحسين القدرة 

● منخفضة على المقاومة (RDSON≤1.0Ω) 

● شحنة بوابة منخفضة (TYP: 32NC) 

● السعة المنخفضة النقل العكسي (TYP: 7.0PF) 

● 100 ٪ اختبار طاقة النبض المنفرد 

● اختبار 100 ٪ ΔVDS 

3 تطبيقات 

● تستخدم في دائرة تبديل الطاقة المختلفة لتصغير النظام والكفاءة العالية. 

● دائرة مفتاح الطاقة من صابورة الإلكترون والمحول.