Režim vylepšenia N-kanála Power MOSFET 10A 650V 10N65 až 220c

Režim vylepšenia N-kanála Power MOSFET 10A 650V

1 popis

Tieto N-kanálové vylepšené VDMOSFETS sa získava pomocou rovnovážnej technológie, ktorá znižuje stratu vodivosti, zlepšuje výkon prepínania a zvyšuje energiu lavíny. Čo je v súlade so štandardom ROHS.

2 funkcie 

● Rýchle prepínanie 

● Vylepšená schopnosť ESD 

● Nízky odpor (rdson <1,0Ω) 

● Nízky náboj brány (typ: 32NC) 

● Nízke kapacity prenosu reverzného prenosu (typ: 7,0pf) 

● 100% Energia Energy Energy Energy Test 

● Test 100% ΔVDS 

3 aplikácie 

● Používa sa v rôznych obvodoch prepínania energie na miniaturizáciu systému a vyššiu účinnosť. 

● Obvod napájacieho spínača elektrónového predradníka a adaptéra.