حالت تقویت کانال N-Channel Power MOSFET 10A 650V 10N65 TO-220C

حالت تقویت کانال N-channel قدرت MOSFET 10A 650V

1 توضیحات

این VDMOSFET های پیشرفته N- کانال ، توسط فناوری مسطح خود تراز شده که باعث کاهش از دست دادن هدایت ، بهبود عملکرد سوئیچینگ و افزایش انرژی بهمن می شود ، بدست می آید. که با استاندارد ROHS مطابقت دارد.

2 ویژگی 

● سوئیچینگ سریع 

● ESD قابلیت بهبود یافته 

● کم مقاومت (Rdson≤1.0Ω) 

legh شارژ پایین دروازه (تایپ: 32nc) 

● خازن انتقال معکوس پایین (تایپ: 7.0pf) 

● 100 ٪ تست انرژی بهمن پالس تک 

● 100 ٪ تست ΔVDS 

3 برنامه 

● در مدار مختلف سوئیچینگ برق برای کوچک سازی سیستم و راندمان بالاتر استفاده می شود. 

circuit مدار سوئیچ برق از بالاست و آداپتور الکترونی.