Način poboljšanja n-kanala Power Mosfet 10A 650V 10N65 TO-220C

Način poboljšanja n-kanala Power Mosfet 10A 650V

1 Opis

Ovi n-kanalni poboljšani VDMOSFET-ovi dobivaju se samostalno usklađenom ravninskom tehnologijom koja smanjuje gubitak kondukcije, poboljšava performanse prebacivanja i poboljšava energiju lavine. Koji se slaže sa ROHS standardom.

2 značajke 

● Brzo prebacivanje 

● ESD poboljšala sposobnost 

● Nizak otpor (Rdson≤1.0Ω) 

● Naboj s malim vratima (TIP: 32NC) 

● Niske kondenzacije obrnutog prijenosa (Typ: 7.0PF) 

● 100% pojedinačni test energetike pulsa 

● 100% ΔVDS test 

3 prijave 

● Koristi se u različitim sklopnim sklopovima napajanja za minijaturizaciju sustava i veću učinkovitost. 

● Krug sklopke napajanja elektronskog balasta i adaptera.