Tor
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sie sind hier: Heim » Produkte
Modell:
Paket:
V:
A:
AUSGEWÄHLTE PRODUKTLINIEN:

Alle Produkte

Bild Modell Paket V A Datenblatt Details Anfrage In den Warenkorb legen
5A 650V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET B5N65 TO-251B B5N65 TO-251B 650V 5A 英文版B5N65技术规格书MAX.pdf
10 A 600 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F10N60 TO-220F F10N60 TO-220F 600V 10A 英文版F10N60技术规格书.pdf
20 mΩ 650 V N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET DCC020M65G2 TO-247 DCC020M65G2 TO-247 650V 92A Donghai_DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
 N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 10A 650V 10N65 TO-220C 10N65 TO-220C 650V 10A 英文版10N65术规格书.pdf
13A 500V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 13N50 TO-220C 13N50 TO-220C 500V 13A 英文版13N50术规格书.pdf
 N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 4A 800V B4N80 TO-251B B4N80 TO-251B 800V 4A 英文版B4N80术规格书.pdf
4A 1500V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH4N150F TO-3PF DH4N150F TO-3PF 1500V 4A Detaillierte Informationen zu DH4N150F.pdf
41 A 650 V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET DCC060M65G2 TO-247 DCC060M65G2 TO-247 650V 41A Donghai_DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
5 A 1200 V SiC-Schottky-Barrierediode DCD05D120G3
14A 650V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F14N65 TO-220F F14N65 TO-220F 650V 14A 英文版F14N65术规格书AY3.pdf
25 A 650 V SiC-Schottky-Barrierediode DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
 N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 10A 600V 10N60 10N60
5A 500V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 5N50 5N50
 N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 5A 650V 5N65C TO-220C 5N65C TO-220C 650V 5A 英文版5N65C技术规格书.pdf
10 A 800 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F10N80 TO-220F F10N80 TO-220F 800V 10A 英文版F10N80技术规格书.pdf
180 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS015N06 TO-220C DHS015N06 TO-220C 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+Datenblatt+Rev.1.0.pdf
16A 650V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) 650V 16A Donghai DHSJ21N65Z Datenblatt V1.0(1).pdf
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 13 A 500 V E13N50 TO-263 E13N50 TO-263 500V 13A 英文版E13N50术规格书.pdf
50A 1200V Halbbrücken-IGBT-Modul DHG50N120D 34mm DHG50N120D 34mm 1200V 50A DHG50N120D.pdf
 N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 TO-251B 700V 7A 英文版B7N70术规格书.pdf

Produktvideo

  • Melden Sie sich für unseren Newsletter an
  • Machen Sie sich bereit für die Zukunft.
    Melden Sie sich für unseren Newsletter an, um Updates direkt in Ihren Posteingang zu erhalten