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NPN-Epitaxial-Siliziumtransistor TIP122 TO-220M-Gehäuse TIPP127 TO-220M -100V -5A 英文版TIP127MJD127术规格书.pdf
Schnelle Freilaufdiode 8A 600V MUR860 TO-220-2L MUR860 TO-220-2L 600V 8A Siehe MUR860 und 220-2L.pdf
NPN-Epitaxial-Siliziumtransistor TIP122 TO-220M-Gehäuse TIPP122 TO-220M 100V 5A 英文版TIP122MJD122术规格书.pdf
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 120 A 85 V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85V 120A Gerätespezifikation DHS045N88-Rev.1.0.pdf
Schnelle Freilaufdiode 60A 300V MUR6030DCS TO-3P MUR6030DCS TO-3P 300V 60A Weitere Informationen finden Sie unter MUR6030DCS.pdf
-30A -100V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH100P30CD TO-252B DH100P30CD TO-252B -100V -30A Gerätespezifikation DH100P30CB1Q.pdf
N-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET 68 A 100 V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 120 A 85 V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85V 120A Gerätespezifikation DHS045N88-Rev.1.0.pdf
100A 650V Halbbrückenmodul IGBT-Modul DGA100H65M2T 34mm DGA100H65M2T 34mm 650V 100A DGA100H65M2T.pdf
18A 650V Bipolartransistor mit isoliertem Gate DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650V 18A Gerätespezifikation DHG20T65D (TO-220F).pdf
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 110 A 100 V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100V 110A Gerätespezifikation DHS052N10.pdf
7N65/F7N65/B7N65/D7N65
N-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET 110 A 100 V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100V 110A Gerätespezifikation DHS052N10.pdf
20A 500V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 20N50B TO-247 20N50B TO-247 500V 20A Spezifikation des Geräts 20N50(1).pdf
50 A 120 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D TO-252B 120V 50A Gerätespezifikation DH150N12.pdf
P-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET 30 A 100 V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB TO-251B 100V 30A
10A 700V Fast-Recovery-Diode MRF1070 TO-220F-2L MURF1070 TO-220F 700V 10A 英文版MUR1070技术规格书.pdf
20A 100V SchottkyBarrierDiode MBR20100CT TO-252 MJD122 TO-252 100V 5A 英文版TIP122MJD122术规格书.pdf
40 A 30 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 TO-252B 30V 40A Donghai_DHD80N03_Datasheet_V3.0.pdf
47 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5X6 100V 47A Gerätespezifikation DH135N10P.pdf

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