未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
NPN-epitaksiaalinen piitransistori TIP122 TO-220M -paketti VINKKI 127 TO-220M -100V -5A 英文版TIP127MJD127技术规格书.pdf
Pikapalautusdiodi 8A 600V MUR860 TO-220-2L MUR860 TO-220-2L 600V 8A 英文版MUR860技术规格书220-2L.pdf
NPN-epitaksiaalinen piitransistori TIP122 TO-220M -paketti VINKKI 122 TO-220M 100V 5A 英文版TIP122MJD122技术规格书.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 -220C 85V 120A Laite DHS045N88 Specification-Rev.1.0.pdf
Pikapalautusdiodi 60A 300V MUR6030DCS TO-3P MUR6030DCS TO-3P 300V 60A 英文版 MUR6030DCS技术规格书.pdf
-30A -100V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH100P30CD TO-252B DH100P30CD TO-252B -100V -30A Laitteen DH100P30CB1Q Specification.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 68A 100 V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85V 120A Laite DHS045N88 Specification-Rev.1.0.pdf
100A 650V puolisiltamoduuli IGBT-moduuli DGA100H65M2T 34mm DGA100H65M2T 34 mm 650V 100A DGA100H65M2T.pdf
18A 650V eristetty porttibipolaaritransistori DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650V 18A Laitteen DHG20T65D tekniset tiedot(TO-220F).pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 110A 100 V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100V 110A Laite DHS052N10 Specification.pdf
7N65/F7N65/B7N65/D7N65
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100V 110A Laite DHS052N10 Specification.pdf
20A 500V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET 20N50B TO-247 20N50B TO-247 500V 20A Laite 20N50 Specification(1).pdf
50A 120V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D TO-252B 120V 50A Laite DH150N12 Specification.pdf
P-kanavan lisätilateho MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB TO-251B 100V 30A
10A 700V pikapalautusdiodi MURF1070 TO-220F-2L MURF 1070 TO-220F 700V 10A 英文版MUR1070技术规格书.pdf
20A 100V SchottkyBarrierDiode MBR20100CT TO-252 MJD122 TO-252 100V 5A 英文版TIP122MJD122技术规格书.pdf
40A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 TO-252B 30V 40A Donghai_DHD80N03_Datasheet_V3.0.pdf
47A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5X6 100V 47A Laitteen DH135N10P Specification.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com