14A 650 V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET F14N65 TO-220F

Nämä N-kanavainen parannetut VDMOSFET: t saavat itse kohdistuneella tasomaisella tekniikalla, joka vähentää johtamishäviötä, parantaa kytkentä suorituskykyä ja parantaa lumivyöryenergiaa.

Saatavuus:

Määrä:



Tiedustella Lisää koriin

Malli:
F14N65
Merkki:
WXDH
Paketti:
TO-220F
Tietotapa:
英文版 f14n65 技术规格书 ay3.pdf
V:
650 V
V:
14a

14A 650 V N-kanavan parannusmoodi Power Mosfet

1 Kuvaus

Nämä N-kanavainen parannetut VDMOSFET: t saavat itse kohdistuneella tasomaisella tekniikalla, joka vähentää johtamishäviötä, parantaa kytkentä suorituskykyä ja parantaa lumivyöryenergiaa. Joka sopii ROHS -standardiin. TO-220F tarjoaa eristysjännitteen, jonka nimellisarvo on 2000 V RMS kaikista kolmesta liittimestä ulkoiseen jäähdytyselementtiin. TO220F-sarja noudattaa UL-standardeja (tiedostoviite: E252906).

2 ominaisuutta

● Nopea kytkentä

● ESD parannettu kyky

● Matala vastus (rdson≤0,7Ω)

● Matala portin varaus (TYP: 32NC)

● Matala käänteinen siirtokapasitions (TYP: 7.0pf)

● 100% yhden pulssin lumivyöryenergiatesti

● 100% AVDD -testi

3 sovellusta

● Käytetään erilaisissa virrankytkentäpiirissä järjestelmän miniaturisointiin ja suurempaan tehokkuuteen.

● Elektronien liitäntälaitteen ja sovittimen virtakytkin.

VDSS	RDS (ON) （TYP)	Henkilöllisyystodistus
650 V	0,6 Ω	14a

Edellinen:

Seuraava:

Mosfet