Tilgængelighed: | |
---|---|
Mængde: | |
F14N65
WXDH
TO-220F
650V
14a
14A 650V N-kanal Forbedringstilstand Power Mosfet
1 Beskrivelse
Disse N-kanals forbedrede VDMOSFET'er opnås ved den selvjusterede plane teknologi, der reducerer ledningstabet, forbedrer skiftestyringen og forbedrer lavine-energien. Der stemmer overens med ROHS -standarden. TO-220F giver isoleringsspænding, der er klassificeret til 2000V RMS fra alle tre terminaler til ekstern køleplade. TO-220F-serien overholder UL-standarder (File Ref: E252906).
2 funktioner
● Hurtig skift
● ESD forbedret kapacitet
● Lav på modstand (Rdson≤0,7Ω)
● Lav gateopladning (TYP: 32NC)
● Lav omvendt overførselskapacitanser (TYP: 7.0PF)
● 100% enkelt puls -lavine energitest
● 100% ΔVDS -test
3 applikationer
● Brugt i forskellige strømafbryderkredsløb til systeminiaturisering og højere effektivitet.
● Strækkontaktkredsløb for elektronballast og adapter.
VDSS | RDS (on) (Typ) | Id |
650V | 0,6 Ω | 14a |
14A 650V N-kanal Forbedringstilstand Power Mosfet
1 Beskrivelse
Disse N-kanals forbedrede VDMOSFET'er opnås ved den selvjusterede plane teknologi, der reducerer ledningstabet, forbedrer skiftestyringen og forbedrer lavine-energien. Der stemmer overens med ROHS -standarden. TO-220F giver isoleringsspænding, der er klassificeret til 2000V RMS fra alle tre terminaler til ekstern køleplade. TO-220F-serien overholder UL-standarder (File Ref: E252906).
2 funktioner
● Hurtig skift
● ESD forbedret kapacitet
● Lav på modstand (Rdson≤0,7Ω)
● Lav gateopladning (TYP: 32NC)
● Lav omvendt overførselskapacitanser (TYP: 7.0PF)
● 100% enkelt puls -lavine energitest
● 100% ΔVDS -test
3 applikationer
● Brugt i forskellige strømafbryderkredsløb til systeminiaturisering og højere effektivitet.
● Strækkontaktkredsløb for elektronballast og adapter.
VDSS | RDS (on) (Typ) | Id |
650V | 0,6 Ω | 14a |