Poartă
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sunteți aici: Acasă » Produse » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 14a 650V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET F14N65 TO-220F

încărcare

Distribuie la:
Buton de partajare Facebook
Buton de partajare pe Twitter
Buton de partajare a liniei
Buton de partajare WeChat
Butonul de partajare LinkedIn
Butonul de partajare Pinterest
Butonul de partajare WhatsApp
Buton de partajare Sharethis

14A 650V Mod de îmbunătățire a canalelor N Power MOSFET F14N65 TO-220F

Aceste VDMOSFET-uri îmbunătățite cu canal N, sunt obținute prin tehnologia plană auto-aliniată, care reduc pierderea de conducere, îmbunătățesc performanța de comutare și îmbunătățesc energia de avalanșă.
Disponibilitate:
cantitate:

14A 650V Mod de îmbunătățire a canalelor N MOSFET


1 Descriere

Aceste VDMOSFET-uri îmbunătățite cu canal N, sunt obținute prin tehnologia plană auto-aliniată, care reduc pierderea de conducere, îmbunătățesc performanța de comutare și îmbunătățesc energia de avalanșă. Care este în conformitate cu standardul ROHS. TO-220F oferă tensiune de izolare nominală la 2000V RMS de la toate cele trei terminale până la tradiere externă. Seria To-220F respectă standardele UL (fișier Ref: E252906). 


2 caracteristici 

● comutare rapidă 

● ESD Capacitate îmbunătățită 

● Rezistență scăzută (RDSON≤0.7Ω) 

● Încărcare scăzută a porții (TIP: 32NC) 

● Capacități de transfer invers scăzut (TYP: 7.0pf)

● Test de energie 100% cu un singur impuls de avalanșă 

● Test 100% ΔVDS 


3 aplicații 

● Folosit în diverse circuit de comutare a puterii pentru miniaturizarea sistemului și eficiență mai mare. 

● Circuitul comutatorului de alimentare a balastului și adaptorului de electroni.

VDSS  RDS (ON) (TIP) Id 
650V 0,6 Ω 14a



Anterior: 
Următorul: 
  • Înscrieți -vă la newsletter -ul nostru
  • Pregătește -te pentru viitorul
    înregistrare pentru newsletter -ul nostru pentru a primi actualizări direct la căsuța de e -mail