未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
80A 68V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH072N07 TO-220C DH072N07 -220C 68V 80A Laite DH072N07 Specification.pdf
100A 1200V puolisilta IGBT-moduuli DGA100H120M2T 34mm DGA100H120M2T 34 mm 1200V 100A DGA100H120M2T.pdf
50A 200V N-kanavainen parannustila Virta MOSFET F50N20 F50N20 TO-220F 200V 50A Laitteen F50N20 Specification(1).pdf
80A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100V 80A Laitteen DHS065N10P Specification(1).pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 4A 700V D4N70 TO-252B D4N70 TO-252B 700V 4A 英文版D4N70技术规格书.pdf
4A 650V SiC Schottky Barrier Diodi DCD04D65G4 TO-252B 650V 4A Laite DCD04D65G4 Specification.pdf
20A 650V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F20N65 TO-220F F20N65
65A 100V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
18A 500V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F18N50 TO-220F F18N50 TO-220F 500V 18A 英文版F18N50技术规格书.pdf
80A 80V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH80N08 TO-220C DH80N08 -220C 80V 80A Laite DH80N08 B22 Specification.pdf
120A100V N-kanavainen Enhancement Mode Power MOSFET D120N10 -220C 100V 120A Laitteen D120N10ZR Specification.pdf
10A 600V pikapalautusdiodi MURF1060 TO-220-2L MURF1060 TO-220F-2L 600V 10A 英文版MURF1060CT技术规格书.pdf
300A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DSU021N10NA TOLL PAKETTI DSU021N10NA TOLL 100V 300A Laite+DSU021N10NA+Specification+Rev.1.0.pdf
30A 200V pikapalautusdiodi MUR3020DCT MUR3020DCT TO-3PN 200V 30A 英文版MUR3020DCT技术规格书REV1.0.pdf
54A 30V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH060N03R DFN3×3-8L DH060N03R DFN3X3 30V 54A Laitteen DH060N03R Specification.pdf
120A 70V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS130N06D TO-252B DHS130N06D TO-252B 70V 120A Donghai+DHS130N06B&DHS130N06D+Datasheet+V3.0 (1).pdf
40A 1200V SiC Schottky Barrier Diodi DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200V 40A Laitteen DCCT40D120G4 Specification.pdf
4.8A 650V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 TO-252B 650V 4.8A Donghai_DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf
2A 650 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET B2N65 B2N65 TO-251B 650V 2A 英文版B2N65技术规格书.pdf
15A 1200V SiC Schottky Barrier Diodi DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200V 15A Laitteen DCGT15D120G4 Specification.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com