未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
105A 68V N-kanavainen parannustila Virta MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+DataSheet+V2.0 .pdf
310A 20V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 -220C 20V 310A Laite DH009N02 Specification.pdf
60A 300V nopea palautusdiodi MUR6030NCA TO-3PN MUR6030NCA TO-3PN 300V 60A 英文版 MUR6030NCA 技术规格书.pdf
60A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30V 60A Laite DH081N03 Specification.pdf
4A 650 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 TO-252B 650V 4A 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
600A 650V puolisiltamoduuli IGBTMmodule DGD600H65M2T EconoDUAL3 PAKETTI DGD600H65M2T EconoDUAL3 650V 600A DGD600H65M2T REV1.0.pdf
30A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30V 30A Laitteen DH081N03R Specification.pdf
41A 650V N-kanavainen SIC Power MOSFET DCCF060M65G2 TO-247 DCCF060M65G2 TO-247-4L 650V 41A Donghai_DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
60A 68V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68V 60A Laite 50N06B34 Specification.pdf
40A 150V SchottkyBarrierDiode MBR40150CT TO-263 MBR40150CT TO-263 150V 40A 英文版MBR40150CT技术规格书.pdf
400A 650V puolisiltamoduuli IGBTMmodule DGD400H65M2T EconoDUAL3 PAKETTI DGD400H65M2T EconoDUAL3 650V 400A DGD400H65M2T REV1.0.pdf
450A 1200V puolisiltamoduuli IGBTMmodule DGD450H120L2T EconoDUAL3 PAKETTI DGD450H120L2T EconoDUAL3 1200V 450A DGD450H120L2TREV1.1.pdf
10A 400V pikapalautusdiodi MUR1040 TO-220-2L MUR 1040 TO-220-2L 400V 10A 英文版MUR1040技术规格书.pdf
8A 500 V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET B8N50 TO-251 B8N50 TO-251 500V 8A
180A 85V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85V 180A Laite+DSD040N08N3A+Specification+Rev.1.0.pdf
18A 500V N-kanavainen lisätilateho MOSFET 18N50 TO-220C 18N50 -220C 500V 18A 英文版18N50技术规格书.pdf
500V/3A puolisilta IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MFN ESOP-9 500V 7A Donghai_DPQB07HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A puolisilta IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MFN ESOP-9 500V 3A Donghai_DPQB03HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
2A 600V N-kanavan parannustilan teho MOSFET F2N60 TO-220F F2N60 TO-220F 600V 2A
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R -220C 100V 120A Laitteen DH10H035R Specification.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com