未命名(1)(8) (1)
hek
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
U bent hier: Thuis » Producten
Model:
Pakket:
V:
A:
GESELECTEERDE PRODUCTLIJNEN:

Alle producten

Afbeelding Model Pakket V A Gegevensblad Details Aanvraag Voeg toe aan winkelwagen
80A 68V N-kanaal Enhancement Mode Power MOSFET DH072N07 TO-220C DH072N07 TO-220C 68V 80A Apparaat DH072N07 Specificatie.pdf
100A 1200V Halve brug IGBT-module DGA100H120M2T 34mm DGA100H120M2T 34 mm 1200V 100A DGA100H120M2T.pdf
50A 200V N-kanaal Enhancement Mode Power MOSFET F50N20 F50N20 TO-220F 200V 50A Apparaat F50N20 Specificatie(1).pdf
80A 100V N-kanaal Verbeteringsmodus Vermogens-MOSFET DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100V 80A Apparaat DHS065N10P-specificatie(1).pdf
N-kanaal Verbeteringsmodus Vermogens-MOSFET 4A 700V D4N70 TO-252B D4N70 TO-252B 700V 4A 英文版D4N70 技术规格书.pdf
4A 650V SiC Schottky-barrièrediode DCD04D65G4 TO-252B 650V 4A Apparaat DCD04D65G4 Specificatie.pdf
20A 650V N-kanaal Enhancement Mode Power MOSFET F20N65 TO-220F F20N65
65A 100V N-kanaalverbeteringsmodus Vermogens-MOSFET DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
18A 500V N-kanaal Verbeteringsmodus Vermogens-MOSFET F18N50 TO-220F F18N50 TO-220F 500V 18A 英文版F18N50 技规格书.pdf
80A 80V N-kanaal Enhancement Mode Power MOSFET DH80N08 TO-220C DH80N08 TO-220C 80V 80A Apparaat DH80N08 B22 Specificatie.pdf
120A100V N-kanaalverbeteringsmodus Vermogens-MOSFET D120N10 TO-220C 100V 120A Apparaat D120N10ZR Specificatie.pdf
10A 600V Snelhersteldiode MURF1060 TO-220-2L MURF1060 TO-220F-2L 600V 10A 英文版MURF1060CT 技规格书.pdf
300A 100V N-kanaal Enhancement Mode Power MOSFET DSU021N10NA TOLPAKKET DSU021N10NA TOL 100V 300A Apparaat+DSU021N10NA+Specificatie+Rev.1.0.pdf
30A 200V Snelle hersteldiode MUR3020DCT MUR3020DCT TO-3PN 200V 30A 英文版MUR3020DCT 技规格书REV1.0.pdf
54A 30V N-kanaal Verbeteringsmodus Vermogens-MOSFET DH060N03R DFN3×3-8L DH060N03R DFN3X3 30V 54A Apparaat DH060N03R Specificatie.pdf
120A 70V N-kanaal Enhancement Mode Power MOSFET DHS130N06D TO-252B DHS130N06D TO-252B 70V 120A Donghai+DHS130N06B&DHS130N06D+Gegevensblad+V3.0 (1).pdf
40A 1200V SiC Schottky-barrièrediode DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200V 40A Apparaat DCCT40D120G4 Specificatie.pdf
4,8A 650V N-kanaal Super Junction Power-MOSFET DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 TO-252B 650V 4,8A Donghai_DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf
2A 650V N-kanaalverbeteringsmodus Vermogens-MOSFET B2N65 B2N65 TO-251B 650V 2A 英文版B2N65 技术规格书.pdf
15A 1200V SiC Schottky-barrièrediode DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200V 15A Apparaat DCGT15D120G4 Specificatie.pdf

Productvideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Schrijf u in voor onze nieuwsbrief
  • bereid u voor op de toekomst.
    Meld u aan voor onze nieuwsbrief om updates rechtstreeks in uw inbox te ontvangen
    Indienen
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologie door leadong.com