Деревянные двери(1)(8) (1)
ворота
Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Товары
Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

Все продукты

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
105A 68V N-канальный режим расширения MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E ТО-263 68В 105А Дунхай+DHS055N07&DHS055N07E+Технические данные+V2.0 .pdf
310 А, 20 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH009N02 TO-220C ДХ009N02 ТО-220С 20 В 310А Спецификация устройства DH009N02.pdf
60А 300В Диод быстрого восстановления MUR6030NCA TO-3PN MUR6030NCA ТО-3ПН 300В 60А 英文版 MUR6030NCA 技术规格书.pdf
60А, 30 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH081N03D TO-252B DH081N03D ТО-252Б 30 В 60А Спецификация устройства DH081N03.pdf
4А, 650 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор D4N65 TO-252B Д4Н65 ТО-252Б 650В 4А 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
Полумостовой модуль 600 А, 650 В IGBTModule DGD600H65M2T EconoDUAL3 ПАКЕТ ДГД600Х65М2Т ЭконоDUAL3 650В 600А ДГД600Х65М2Т РЕД1.0.pdf
30 А, 30 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH081N03R DFN3*3-8 ДХ081Н03Р ДФН3*3-8 30 В 30А Спецификация устройства DH081N03R.pdf
N-канальный силовой МОП-транзистор DCCF060M65G2 TO-247, 41 А, 650 В, SIC DCCF060M65G2 ТО-247-4Л 650В 41А Donghai_DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
60А, 68В, N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор DHF50N06 TO-220F ДХФ50Н06 ТО-220Ф 68В 60А Спецификация устройства 50Н06Б34.pdf
Диод с барьером Шоттки, 40 А, 150 В MBR40150CT TO-263 МБР40150CT ТО-263 150 В 40А 英文版MBR40150CT 技术规格书.pdf
Полумостовой модуль 400 А, 650 В IGBTModule DGD400H65M2T EconoDUAL3 ПАКЕТ ДГД400Х65М2Т ЭконоDUAL3 650В 400А ДГД400Х65М2Т РЕД1.0.pdf
Полумостовой модуль 450 А, 1200 В IGBTModule DGD450H120L2T EconoDUAL3 ПАКЕТ ДГД450Х120Л2Т ЭконоDUAL3 1200В 450А DGD450H120L2TREV1.1.pdf
10А 400В Диод быстрого восстановления MUR1040 TO-220-2L MUR1040 ТО-220-2Л 400В 10А 英文版MUR1040技术规格书.pdf
8А, 500 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор B8N50 TO-251 Б8Н50 ТО-251 500В 8А
180A 85V N-канальный режим улучшения MOSFET DSD040N08N3A TO-252B ДСД040Н08Н3А ТО-252Б 85В 180А Устройство+DSD040N08N3A+Спецификация+Ред.1.0.pdf
18А, 500 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор 18N50 TO-220C 18Н50 ТО-220С 500В 18А 英文版18N50技术规格书.pdf
Полумостовой IPM 500 В/3 А DPQB03HB50MF ESOP-9 ДПQB07HB50MFN ЭСОП-9 500В 7А Donghai_DPQB07HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
Полумостовой IPM 500 В/3 А DPQB03HB50MF ESOP-9 ДПQB03HB50MFN ЭСОП-9 500В 3А Donghai_DPQB03HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
2А, 600 В, N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор F2N60 TO-220F Ф2Н60 ТО-220Ф 600В 2А
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 120 А, 100 В DH10H035R TO-220C ДХ10Х035Р ТО-220С 100В 120А Спецификация устройства DH10H035R.pdf

Видео о продукте

  • Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Авторские права © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Leadong.com