Деревянные двери(1)(8) (1)
ворота
Цзянсу Дунхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Товары
Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

Все продукты

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
80 А, 68 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH072N07 TO-220C DH072N07 ТО-220С 68В 80А Спецификация устройства DH072N07.pdf
Полумостовой IGBT-модуль 100 А, 1200 В DGA100H120M2T, 34 мм ДГА100Х120М2Т 34 мм 1200В 100А ДГА100Х120М2Т.pdf
50 А, 200 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор F50N20 Ф50Н20 ТО-220Ф 200В 50А Спецификация устройства F50N20(1).pdf
80 А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS065N10P DFN5X6 ДХС065Н10П DFN5X6 100В 80А Спецификация устройства DHS065N10P(1).pdf
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 4А, 700 В D4N70 TO-252B Д4Н70 ТО-252Б 700В 4А 英文版D4N70技术规格书.pdf
4А 650В SiC диод Шоттки с барьером DCD04D65G4 ТО-252Б 650В 4А Спецификация устройства DCD04D65G4.pdf
20 А, 650 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор F20N65 TO-220F Ф20Н65
65 А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор ДХС130Н10/ДХС130Н10Ф/ДХС130Н10Э/ДХС130Н10Б/ДХС130Н10Д
18А, 500 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор F18N50 TO-220F Ф18Н50 ТО-220Ф 500В 18А 英文版F18N50技术规格书.pdf
80А, 80 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH80N08 TO-220C ДХ80Н08 ТО-220С 80В 80А Спецификация устройства DH80N08 B22.pdf
120A100V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET Д120Н10 ТО-220С 100В 120А Спецификация устройства Д120Н10ЗР.pdf
10А 600В Диод быстрого восстановления MURF1060 TO-220-2L MURF1060 ТО-220Ф-2Л 600В 10А 英文版MURF1060CT 技术规格书.pdf
300 А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DSU021N10NA, ПЛАТНЫЙ ПАКЕТ ДСУ021Н10НА ПОТЕРИ 100В 300А Устройство+DSU021N10NA+Спецификация+Ред.1.0.pdf
30А 200В Диод быстрого восстановления MUR3020DCT MUR3020DCT ТО-3ПН 200В 30А 英文版MUR3020DCT技术规格书REV1.0.pdf
54 А, 30 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH060N03R DFN3×3-8L ДХ060Н03Р DFN3X3 30 В 54А Спецификация устройства DH060N03R.pdf
120 А, 70 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS130N06D TO-252B ДХС130Н06Д ТО-252Б 70В 120А Дунхай+DHS130N06B&DHS130N06D+Техническое описание+V3.0 (1).pdf
40А 1200В барьерный диод ДККТ40Д120Г4 Карбид Шоттки ТО-247-2 DCCT40D120G4 ТО-247-2 1200В 40А Спецификация устройства DCCT40D120G4.pdf
4,8 А, 650 В, N-канальный силовой МОП-транзистор с суперпереходом DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 ТО-252Б 650В 4,8А Donghai_DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf
2А, 650 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор B2N65 Б2Н65 ТО-251Б 650В 2А 英文版B2N65技术规格书.pdf
15А 1200В барьерный диод ДКГТ15Д120Г4 Карбид Шоттки ТО-220-2 DCGT15D120G4 ТО-220С-2Л 1200В 15А Спецификация устройства DCGT15D120G4.pdf

Видео о продукте

  • Цзянсу Дунхай Полупроводниковая Компания, ООО
  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Авторское право © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Leadong.com