未命名 (1) (8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом » Продукция » Модуль IGBT » Пим » » 450a 1200V Половина модуля мода

загрузка

Поделиться с:
Кнопка обмена Facebook
Кнопка обмена Twitter
Кнопка обмена строками
Кнопка обмена WeChat
Кнопка совместного использования LinkedIn
Pinterest кнопка совместного использования
Кнопка обмена WhatsApp
Кнопка обмена Sharethis

450A 1200V Половина модуля модуля IGBTModule DGD450H120L2T ECONODUAL3 Пакет

В этих изолированных биполярных транзисторах затвора использовались передовые траншеи и технологии полевого стопа, обеспечивали отличную скорость VCESAT и переключение, низкий заряд. Который согласуется со стандартом ROHS.
Доступность:
количество:
Запросить Добавить в корзину

  • DGD450H120L2T

  • WXDH

  • Econodual3

  • DGD450H120L2TREV1.1.pdf

  • 1200 В.

  • 450а

450A 1200 В половина мостового модуля

1 Описание 

В этих �


2 функции 

● Технология FS Trench, положительный коэффициент температуры 

● Низкое напряжение насыщения: VCE (SAT), тип = 1,75 В @ IC = 450A и TJ = 25 ° C 

● Чрезвычайно улучшенные возможности л=

3 приложения 

  •  Сварка 

  •  UPS 

  •  Трехлетний инвертор 

  • Усилитель сервопривода AC и DC DC



  • Тип Vce IC VCESAT, TJ = 25 ℃ TJOP Упаковка
    DGD450H120L2T 1200 В. 450a (TJ = 100 ℃) 1,75 В (тип) 175 ℃ Econodual3
Предыдущий: 
Следующий: 
Модуль
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By vedong.com