未命名 (1) (8) (1)
port
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du er her: Hjem » Produkter » IGBT -modul » Pim » 450A 1200V Half Bridge Module IGBTModule DGD450H120L2T Econodual3 -pakke

lasting

Del til:
Facebook -delingsknapp
Twitter -delingsknapp
Linjedelingsknapp
WeChat delingsknapp
LinkedIn -delingsknapp
Pinterest delingsknapp
WhatsApp -delingsknapp
Sharethis delingsknapp

450A 1200V Half Bridge Module IGBTModule DGD450H120L2T ECONODUAL3 -pakke

Denne isolerte gate -bipolare transistoren brukte avansert grøft og feltstoppteknologidesign, ga utmerket VCESAT og byttehastighet, lav portladning. Som stemmer overens med ROHS -standarden.
Tilgjengelighet:
Mengde:
Spørre Legg til kurv

450A 1200V Half Bridge Module

1 Beskrivelse 

Denne isolerte gate -bipolare transistoren brukte avansert grøft og feltstoppteknologidesign, ga utmerket VCESAT og byttehastighet, lav portladning. Som stemmer overens med ROHS -standarden.


2 funksjoner 

● FS -grøfteteknologi, positiv temperaturkoeffisient 

● Lav metningsspenning: VCE (SAT), typ = 1,75V @ ic = 450a og TJ = 25 ° C 

● Ekstremt forbedret snøskredfunksjon

3 søknader 

  •  Sveising 

  •  UPS 

  •  Tre-leve inverter 

  • AC og DC Servo Drive -forsterker



  • Type VCE IC Vcesat, TJ = 25 ℃ Tjop Pakke
    DGD450H120L2T 1200V 450a (TJ = 100 ℃) 1.75V (TYP) 175 ℃ Econodual3
Tidligere: 
NESTE: 
Modul
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registrer deg for vårt nyhetsbrev
  • Gjør deg klar for fremtiden
    påmelding til vårt nyhetsbrev for å få oppdateringer rett til innboksen
    Send inn
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology av Leadong.com