450A 1200V ໂມດູນຂົວເຄິ່ງ IGBTModule DGD450H120L2T EconoDUAL3 PACKAGE

450A 1200V ໂມດູນຂົວເຄິ່ງ

1 ຄຳອະທິບາຍ 

ເຫຼົ່ານີ້ Insulated Gate Transistor ໄດ້ນໍາໃຊ້ trench ກ້າວຫນ້າທາງດ້ານແລະການອອກແບບເຕັກໂນໂລຊີ Fieldstop, ສະຫນອງ VCEsat ທີ່ດີເລີດແລະຄວາມໄວສະຫຼັບ, ຄ່າບໍລິການປະຕູຕ່ໍາ. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS.

2 ຄຸນສົມບັດ 

● FS Trench Technology, ຄ່າສໍາປະສິດອຸນຫະພູມບວກ 

● ແຮງດັນຄວາມອີ່ມຕົວຕໍ່າ: VCE(sat), typ = 1.75V @ IC = 450A ແລະ Tj = 25°C 

● ຄວາມສາມາດຂອງຫິມະຫິມະຕົກທີ່ດີຂຶ້ນ

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ 

•  ການເຊື່ອມໂລຫະ 

•  UPS 

•  Inverter ສາມລະດັບ 

• ເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງ AC ແລະ DC servo drive

• 
  

  
  

  ປະເພດ	VCE	ໄອຄ	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	ຊຸດ
  DGD450H120L2T	1200V	450A (Tj=100℃)	1.75V (ປະເພດ)	175 ℃	EconoDUAL3