brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

Wszystkie produkty

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
80A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH072N07 TO-220C DH072N07 TO-220C 68 V 80A Specyfikacja urządzenia DH072N07.pdf
Moduł półmostkowy IGBT 100A 1200V DGA100H120M2T 34mm DGA100H120M2T 34 mm 1200 V 100A DGA100H120M2T.pdf
50A 200V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F50N20 F50N20 TO-220F 200 V 50A Specyfikacja urządzenia F50N20(1).pdf
80A 100 V tryb wzmocnienia kanału N MOSFET mocy DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100 V 80A Specyfikacja urządzenia DHS065N10P(1).pdf
 Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 4A 700 V D4N70 TO-252B D4N70 TO-252B 700 V 4A 英文版D4N70技术规格书.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 4A 650V SiC DCD04D65G4 TO-252B 650 V 4A Specyfikacja urządzenia DCD04D65G4.pdf
20A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F20N65 TO-220F F20N65
65A 100V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
18A 500V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F18N50 TO-220F F18N50 TO-220F 500 V 18A 英文版F18N50技术规格书.pdf
80A 80V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH80N08 TO-220C DH80N08 TO-220C 80 V 80A Urządzenie DH80N08 B22 Specyfikacja.pdf
120A100V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia D120N10 TO-220C 100 V 120A Specyfikacja urządzenia D120N10ZR.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 10A 600V MURF1060 TO-220-2L MURF1060 TO-220F-2L 600 V 10A 英文版MURF1060CT技术规格书.pdf
300A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DSU021N10NA PAKIET OPŁAT DSU021N10NA MYTO 100 V 300A Urządzenie+DSU021N10NA+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 30A 200V MUR3020DCT MUR3020DCT TO-3PN 200 V 30A Plik MUR3020DCT 技术规格书REV1.0.pdf
54A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH060N03R DFN3×3-8L DH060N03R DFN3X3 30 V 54A Specyfikacja urządzenia DH060N03R.pdf
120A 70V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS130N06D TO-252B DHS130N06D TO-252B 70 V 120A Donghai+DHS130N06B&DHS130N06D+karta katalogowa+V3.0 (1).pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 40A 1200 V SiC DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200 V 40A Specyfikacja urządzenia DCCT40D120G4.pdf
4,8 A 650 V N-kanałowy superzłączowy MOSFET mocy DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 TO-252B 650 V 4,8A Donghai_DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf
2A 650 V N-kanałowy tryb wzmocnienia MOSFET mocy B2N65 B2N65 TO-251B 650 V 2A 英文版B2N65技术规格书.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 15A 1200 V SiC DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200 V 15A Specyfikacja urządzenia DCGT15D120G4.pdf

Film o produkcie

  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą