未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

Wszystkie produkty

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
105A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68 V 105A Donghai+DHS055N07 i DHS055N07E+karta katalogowa+V2.0.pdf
310A 20V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 TO-220C 20 V 310A Specyfikacja urządzenia DH009N02.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 60A 300V MUR6030NCA TO-3PN MUR6030NCA TO-3PN 300 V 60A Plik MUR6030NCA 技术规格书.pdf
60A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30 V 60A Specyfikacja urządzenia DH081N03.pdf
4A 650 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 TO-252B 650 V 4A 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
600A 650V Moduł półmostkowy IGBTModule DGD600H65M2T PAKIET EconoDUAL3 DGD600H65M2T EconoDUAL3 650 V 600A DGD600H65M2T REV1.0.pdf
30A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30 V 30A Specyfikacja urządzenia DH081N03R.pdf
41A 650V N-kanałowy MOSFET mocy SIC DCCF060M65G2 TO-247 DCCF060M65G2 TO-247-4L 650 V 41A Donghai_DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Arkusz danych_V1.0.pdf
60A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68 V 60A Specyfikacja urządzenia 50N06B34.pdf
40A 150V Schottky'egoDioda barierowa MBR40150CT TO-263 MBR40150CT TO-263 150 V 40A Plik źródłowy MBR40150CT 技术规格书.pdf
400A 650V Moduł półmostkowy IGBTModule DGD400H65M2T PAKIET EconoDUAL3 DGD400H65M2T EconoDUAL3 650 V 400A DGD400H65M2T REV1.0.pdf
450A 1200V Moduł półmostkowy IGBTModule DGD450H120L2T PAKIET EconoDUAL3 DGD450H120L2T EconoDUAL3 1200 V 450A DGD450H120L2TREV1.1.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 10A 400V MUR1040 TO-220-2L MUR1040 TO-220-2L 400 V 10A 英文版MUR1040技术规格书.pdf
8A 500 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET B8N50 TO-251 B8N50 TO-251 500 V 8A
180A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85 V 180A Urządzenie+DSD040N08N3A+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
18A 500V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 18N50 TO-220C 18N50 TO-220C 500 V 18A 英文版18N50技术规格书.pdf
Półmostek 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MFN ESOP-9 500 V 7A Donghai_DPQB07HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
Półmostek 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MFN ESOP-9 500 V 3A Donghai_DPQB03HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
2A 600 V tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET F2N60 TO-220F F2N60 TO-220F 600 V 2A
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R TO-220C 100 V 120A Specyfikacja urządzenia DH10H035R.pdf

Film o produkcie

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com