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Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
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diodo de barreira sic Schottky DCC20D65G4 TO-247-3 de 20A 650V DCC20D65G4 PARA-247 650 V 20A Especificação do dispositivo DCC20D65G4.pdf
18A 200V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH640 TO-220C DH640 TO-220C 200 V 18A Especificação do dispositivo 640.pdf
40A 1200V canal N SiC Power MOSFET DCC075M120G2C TO-247-3 DCC075M120G2C PARA-247 1200 V 40A Especificação do dispositivo DCC075M120G2C.pdf
DSE058N15NA TO-263 DSE058N15NA PARA-263 150 V 150A Donghai+DSE058N15NA+Folha de dados+V2.0.pdf
F6N90 TO-220F F6N90 TO-220F 900V 6A 英文版F6N90技术规格书.pdf
MBRF40R60CT TO-220F MBRF40R60CT
250A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH019N04 TO-220C DH019N04 TO-220C 40V 250A Especificação do dispositivo DH019N04.pdf
 D7N60 TO-252B D7N60 PARA-252B 600 V 7A 英文版D7N60技术规格书.pdf
DHS052N10P DFN5X6 DHS052N10P DFN5*6-8 100V 99A Especificação do dispositivo DHS052N10P.pdf
MURF1660CT TO-220F MURF1660CT TO-220F 600 V 16A 英文版MURF1660CT 技术规格书REV1.1.pdf
MOSFET de potência do modo de aprimoramento de canal N 12A 100V B12N10/D12N10
MUR80FU40NCA TO-3PN MUR80FU40NCA
Diodo de recuperação rápida 30A 400V MUR3040NCS TO-3PN MUR3040NCS TO-3PN 400 V 30A 英文版MUR3040NCS技术规格书.pdf
MOSFET de potência do modo de aprimoramento de canal N 200A 40V D1404/FD1404/ED1404
40V/4,0mΩ/66AN-MOSFET DSP060N04LA DFN5*6 DSP060N04LA DFN5X6 40V 66A Donghai_DSP060N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
PACOTE 40V/0,85mΩ/200A N-MOSFET DSE012N04NA TO-263 DSE012N04NA PARA-263 40V 200A Donghai_DSE012N04NA_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de recuperação rápida 60A 300V MUR6030BCA TO-247S MUR6030BCA TO-247S 300 V 60A 英文版 MUR6030BCA 技术规格书REV1.1.pdf
270A 120V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS044N12U PACOTE DE PORTÁGIO DHS044N12U PEDÁGIO 120V 270A Donghai_DHS044N12U_Datasheet_V2.0.pdf
 DSE065N10L3A TO-263 DSE065N10L3A PARA-263 100V 103A Donghai_DSE065N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
100V/2,2mΩ/180A N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263 DSE026N10N3A PARA-263 100V 180A Donghai_DSE026N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf

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