未命名(1)(8) (1)
portão
Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
Você está aqui: Lar » Produtos
Modelo:
Pacote:
V:
UM:
LINHAS DE PRODUTOS SELECIONADAS:

Todos os produtos

de imagem de modelo Pacote V A Ficha técnica Detalhes Consulta Adicionar ao carrinho
105A 68V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E PARA-263 68 V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+Folha de dados+V2.0 .pdf
310A 20V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 PARA-220C 20V 310A Especificação do dispositivo DH009N02.pdf
Diodo de recuperação rápida 60A 300V MUR6030NCA TO-3PN MUR6030NCA TO-3PN 300V 60A 英文版 MUR6030NCA 技术规格书.pdf
60A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D PARA-252B 30V 60A Especificação do dispositivo DH081N03.pdf
4A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 PARA-252B 650 V 4A 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
600A 650V módulo meia ponte IGBTModule DGD600H65M2T EconoDUAL3 PACOTE DGD600H65M2T EconoDUAL3 650 V 600A DGD600H65M2T REV1.0.pdf
30A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH081N03R DFN3 * 3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30V 30A Especificação do dispositivo DH081N03R.pdf
41A 650V canal N SIC Power MOSFET DCCF060M65G2 TO-247 DCCF060M65G2 TO-247-4L 650 V 41A Donghai_DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
60A 68V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68 V 60A Especificação do dispositivo 50N06B34.pdf
40A 150V SchottkyBarrierDiode MBR40150CT TO-263 MBR40150CT PARA-263 150 V 40A 英文版MBR40150CT技术规格书.pdf
Módulo IGBTModule DGD400H65M2T EconoDUAL3 de meia ponte 400A 650V DGD400H65M2T EconoDUAL3 650 V 400A DGD400H65M2T REV1.0.pdf
450A 1200V módulo meia ponte IGBTModule DGD450H120L2T EconoDUAL3 PACOTE DGD450H120L2T EconoDUAL3 1200 V 450A DGD450H120L2TREV1.1.pdf
Diodo de recuperação rápida 10A 400V MUR1040 TO-220-2L MUR1040 TO-220-2L 400V 10A 英文版MUR1040技术规格书.pdf
8A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET B8N50 TO-251 B8N50 PARA-251 500 V 8A
180A 85V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A PARA-252B 85V 180A Dispositivo+DSD040N08N3A+Especificação+Rev.1.0.pdf
18A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 18N50 TO-220C 18N50 PARA-220C 500 V 18A 英文版18N50技术规格书.pdf
500V/3A Meia Ponte IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MFN ESOP-9 500 V 7A Donghai_DPQB07HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Meia Ponte IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MFN ESOP-9 500 V 3A Donghai_DPQB03HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
2A 600V Modo de aprimoramento N-channe Potência MOSFET F2N60 TO-220F F2N60 TO-220F 600 V 2A
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R PARA-220C 100V 120A Especificação do dispositivo DH10H035R.pdf

Vídeo do produto

  • Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
  • Inscreva-se em nosso boletim informativo
  • prepare-se para o futuro
    inscreva-se em nosso boletim informativo para receber atualizações diretamente em sua caixa de entrada
    Enviar
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tecnologia por leadong. com