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80A 68V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH072N07 TO-220C DH072N07 TO-220C 68 V 80A Especificação do dispositivo DH072N07.pdf
Módulo IGBT meia ponte 100A 1200V DGA100H120M2T 34mm DGA100H120M2T 34mm 1200 V 100A DGA100H120M2T.pdf
50A 200V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F50N20 F50N20 TO-220F 200 V 50A Especificação do dispositivo F50N20(1).pdf
80A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100V 80A Especificação do dispositivo DHS065N10P (1).pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 4A 700V D4N70 TO-252B D4N70 PARA-252B 700 V 4A 英文版D4N70技术规格书.pdf
Diodo de barreira SiC Schottky de 4A 650V DCD04D65G4 PARA-252B 650 V 4A Especificação do dispositivo DCD04D65G4.pdf
20A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F20N65 TO-220F F20N65
MOSFET de potência do modo de aprimoramento de canal N 65A 100V DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
18A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F18N50 TO-220F F18N50 TO-220F 500 V 18A 英文版F18N50技术规格书.pdf
80A 80V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH80N08 TO-220C DH80N08 TO-220C 80V 80A Especificação do dispositivo DH80N08 B22.pdf
MOSFET de potência do modo de aprimoramento de canal N 120A100V D120N10 TO-220C 100V 120A Especificação do dispositivo D120N10ZR.pdf
Diodo de recuperação rápida 10A 600V MURF1060 TO-220-2L MURF1060 TO-220F-2L 600 V 10A 英文版MURF1060CT技术规格书.pdf
300A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DSU021N10NA PACOTE DE PEDÁGIO DSU021N10NA PEDÁGIO 100V 300A Dispositivo+DSU021N10NA+Especificação+Rev.1.0.pdf
Diodo de recuperação rápida 30A 200V MUR3020DCT MUR3020DCT TO-3PN 200 V 30A 英文版MUR3020DCT技术规格书REV1.0.pdf
54A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH060N03R DFN3 × 3-8L DH060N03R DFN3X3 30V 54A Especificação do dispositivo DH060N03R.pdf
120A 70V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS130N06D TO-252B DHS130N06D PARA-252B 70V 120A Donghai+DHS130N06B&DHS130N06D+Folha de dados+V3.0 (1).pdf
diodo de barreira sic Schottky DCCT40D120G4 TO-247-2 de 40A 1200V DCCT40D120G4 PARA-247-2 1200 V 40A Especificação do dispositivo DCCT40D120G4.pdf
4.8A 650V canal N Super Junction Power MOSFET DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 PARA-252B 650 V 4,8A Donghai_DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf
2A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET B2N65 B2N65 TO-251B 650 V 2A 英文版B2N65技术规格书.pdf
diodo de barreira sic Schottky DCGT15D120G4 TO-220-2 de 15A 1200V DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200 V 15A Especificação do dispositivo DCGT15D120G4.pdf

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