Disponibilidade MOSFET: | |
---|---|
Quantidade: | |
DH081N03R
Wxdh
DFN3*3-8
30V
30a
30A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET
1 Descrição
Esses MOSFETs de potência de aprimoramento de canal N usavam design avançado de tecnologia de vala, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS.
2 recursos
● baixa resistência
● Baixa carga do portão
● Comutação rápida
● Capacitâncias de transferência reversa baixa
● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único
● Teste 100% ΔVDS
3 aplicações
● Aplicativos de comutação de energia
● Sistema de gerenciamento de inversor
● Ferramentas elétricas
VDSS | Rds (on) (Typ) | EU IA |
30V | 7.6mΩ | 30a |
30A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET
1 Descrição
Esses MOSFETs de potência de aprimoramento de canal N usavam design avançado de tecnologia de vala, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS.
2 recursos
● baixa resistência
● Baixa carga do portão
● Comutação rápida
● Capacitâncias de transferência reversa baixa
● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único
● Teste 100% ΔVDS
3 aplicações
● Aplicativos de comutação de energia
● Sistema de gerenciamento de inversor
● Ferramentas elétricas
VDSS | Rds (on) (Typ) | EU IA |
30V | 7.6mΩ | 30a |