MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 30A 30V DH081N03R DFN3*3-8

MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 30A 30V

1 Descriptif 

Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception de technologie de tranchée avancée, fournissaient un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 

2 Caractéristiques 

● Faible résistance 

● Faible charge de porte 

● Commutation rapide 

● Faibles capacités de transfert inverse 

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %

● Test 100 % ΔVDS 

3 candidatures 

● Applications de commutation de puissance 

● Système de gestion de l'onduleur 

● Outils électriques

VDSS	RDS (activé) (TYP)	IDENTIFIANT
30V	7,6 mΩ	30A