brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » » MOSFET » 12V-300V n mos » 30a 30V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH081N03R DFN3*3-8

načítání

Sdílet na:
Tlačítko sdílení Facebooku
tlačítko sdílení Twitteru
Tlačítko sdílení linky
Tlačítko sdílení WeChat
tlačítko sdílení LinkedIn
Tlačítko sdílení Pinterestu
tlačítko sdílení WhatsApp
Tlačítko sdílení Sharethis

30A 30V N-kanálový vylepšení režim Power MOSFET DH081N03R DFN3*3-8

30A 30V N-kanálový režim vylepšení napájení
dostupnosti MOSFET:
Množství:

30A 30V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET


1 Popis 

Tyto režim vylepšení N-kanálů Power MOSFETS používal pokročilý trenční technologický design, poskytoval vynikající RDSON a nízký náboj brány. Který v souladu se standardem ROHS. 


2 funkce 

● nízký odpor 

● Nízký náboj brány 

● Rychlé přepínání 

● nízký reverzní přenos kapacity 

● 100% test na lavinu s jedním pulsem

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikace 

● Aplikace pro přepínání napájení 

● Systém správy střídače 

● Power Tools

VDSS RDS (on) (typ) Id
30v 7,6 mΩ 30a


Předchozí: 
Další: 
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty