30A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH081N03R DFN3*3-8

30A 30V N-kanálový režim zesílení výkonového MOSFETu

1 Popis 

Tyto výkonové mosfety v režimu N-kanálového vylepšení využívaly pokročilý design technologie výkopu, poskytovaly vynikající Rdson a nízký náboj brány. Což odpovídá standardu RoHS. 

2 Vlastnosti 

● Nízký odpor 

● Nízký poplatek za bránu 

● Rychlé přepínání 

● Nízké zpětné přenosové kapacity 

● 100% jednopulzní lavinový energetický test

● 100% test ΔVDS 

3 Aplikace 

● Aplikace pro přepínání napájení 

● Systém řízení měniče 

● Elektrické nářadí

VDSS	RDS(zapnuto)(TYP)	ID
30V	7,6 mΩ	30A