30A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH081N03R DFN3*3-8

30A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Նկարագրություն 

Այս N-ալիքի ընդլայնման ռեժիմի հոսանքի մոսֆետներն օգտագործում էին խրամուղիների առաջադեմ տեխնոլոգիայի դիզայն, ապահովում էին գերազանց Rdson և ցածր դարպասի լիցքավորում: Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին: 

2 Հատկանիշներ 

● Ցածր դիմադրություն 

● Դարպասի ցածր լիցքավորում 

● Արագ միացում 

● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ 

● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում

● 100% ΔVDS թեստ 

3 Դիմումներ 

● Էլեկտրաէներգիայի անջատման հավելվածներ 

● Inverter կառավարման համակարգ 

● Էլեկտրական գործիքներ

VDSS	RDS(միացված)(TYP)	ID
30 Վ	7,6 mΩ	30 Ա