30A 30V N-kanals förbättringsläge Effekt MOSFET DH081N03R DFN3*3-8

30A 30V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET

1 Beskrivning 

Dessa kraftmofetter i N-kanals förbättringsläge använde avancerad trench-teknikdesign, vilket gav utmärkt Rdson och låg grindladdning. Vilket överensstämmer med RoHS-standarden. 

2 funktioner 

● Lågt motstånd 

● Låg grindladdning 

● Snabb växling 

● Låga omvända överföringskapacitanser 

● 100 % enkelpuls lavinenergitest

● 100 % ΔVDS-test 

3 Applikationer 

● Strömväxlingsapplikationer 

● Inverter management system 

● Elverktyg

VDSS	RDS(på)(TYP)	ID
30V	7,6 mΩ	30A