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30a 30V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET DH081N03R DFN3*3-8

30a 30V N-Kanalverbesserungsmodus LeistungsmOSFET-
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30a 30V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung 

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● schnelles Umschalten 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Stromschaltanwendungen 

● Inverter -Management -System 

● Elektrowerkzeuge

VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
30V 7,6 mΩ 30a


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