gerbang
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
You Are Here: Rumah » Produk » MOSFET » 12V-300V n Mos » 30A 30V N-Channel Mode Peningkatan Daya MOSFET DH081N03R DFN3*3-8

memuat

Bagikan ke:
Tombol Berbagi Facebook
Tombol Berbagi Twitter
Tombol Berbagi Baris
Tombol Berbagi WeChat
Tombol Berbagi LinkedIn
Tombol Berbagi Pinterest
Tombol Berbagi WhatsApp
Tombol Berbagi Sharethis

30A 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DH081N03R DFN3*3-8

30A 30V N-Channel Enhancement Mode Power Power MOSFET
Ketersediaan:
Kuantitas:

30A 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET


1 deskripsi 

Mode Peningkatan N-Channel ini Power MOSFET menggunakan desain teknologi parit canggih, memberikan RDson yang sangat baik dan biaya gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS. 


2 fitur 

● Rendah pada resistensi 

● Biaya gerbang rendah 

● Pergantian cepat 

● Kapasitansi transfer terbalik rendah 

● Tes energi longsor pulsa tunggal 100%

● Tes 100% ΔVDS 


3 aplikasi 

● Aplikasi switching daya 

● Sistem manajemen inverter 

● Alat listrik

VDSS RDS (on) (Typ) PENGENAL
30v 7.6mΩ 30a


Sebelumnya: 
Berikutnya: 
  • Mendaftar untuk buletin kami
  • Bersiaplah untuk Masa Depan
    Mendaftar untuk Buletin Kami Untuk Mendapatkan Pembaruan Langsung Ke Kotak Masuk Anda