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Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
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10.6A 650V canal N Super Junction Power MOSFET DJD380N65T TO-252B DJD380N65T PARA-252B 650 V 10,6A Donghai_DJD380N65T_Datesheet_V1.0.pdf
Diodo de barreira SiC Schottky DCE30D65G4 TO-263 de 30A 650V DCE30D65G4 PARA-263 650 V 30A Especificação do dispositivo DCE30D65G4.pdf
-50A -60V Modo de aprimoramento de canal P MOSFET DH300P06L TO-220C DH300P06L TO-220C -60V -50A Dispositivo+DH300P06L+Especificação+Rev.2.0.pdf
7.0A 1700V canal N SiC Power MOSFET DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 PARA-247 1700V 7A Donghai_DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 180A 100V DHS025N10U TOLL DHS025N10U PEDÁGIO 100V 180A Dispositivo+DHS025N10U+Especificação+V2.0.pdf
500V/4A meia ponte IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF POP-11 500 V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
33A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH240N06LD TO-252B DH240N06LD PARA-252B 60V 33A Especificação do d
80A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH045N04P DFN5X6 PACOTE DH045N04P DFN5X6 40V 80A Especificação do dispositivo DH045N04P (1).pdf
500V/3A Meia Ponte IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500 V 5A Donghai_DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
DHS025N06B/DHS025N06D DHS025N06B/DHS025N06D
DSP007N03LA DFN5X6 DSP007N03LA
DSG150N10L3 TO-220 DSG150N10L3
Pacote de pedágio DSU010N04LA DSU010N04LA
240A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS022N06 TO-220C DHS022N06 TO-220C 60V 180A Donghai+DHS022N06&DHS022N06E+Folha de dados+V2.0.pdf
DH030N03
F7N80
DH100P20D
G40N120D
G50T65D
MBRF20100CT

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