portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
10.6A 650V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DJD380N65T TO-252B DJD380N65T TO-252B 650V 10.6A Donghai_DJD380N65T_Datesheet_V1.0.pdf
30A 650V SiC Schottky Barrier Diodi DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 TO-263 650V 30A Laitteen DCE30D65G4 Specification.pdf
-50A -60V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH300P06L TO-220C DH300P06L -220C -60V -50A Laite+DH300P06L+Specification+Rev.2.0.pdf
7.0A 1700V N-kanavainen SiC Power MOSFET DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 TO-247 1700V 7A Donghai_DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 180A 100V DHS025N10U TOLL DHS025N10U TOLL 100V 180A Laite+DHS025N10U+Specification+V2.0.pdf
500V/4A puolisilta IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
33A 60V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60V 33A Laite DH240N06L Tekniset tiedot Rev.2.0.pdf
80A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH045N04P DFN5X6 PAKETTI DH045N04P DFN5X6 40V 80A Laite DH045N04P Specification(1).pdf
500V/3A puolisilta IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500V 5A Donghai_DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
DHS025N06B / DHS025N06D DHS025N06B/DHS025N06D
DSP007N03LA DFN5X6 DSP007N03LA
DSG150N10L3 TO-220 DSG150N10L3
DSU010N04LA TULLIpaketti DSU010N04LA
240A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS022N06 TO-220C DHS022N06 -220C 60V 180A Donghai+DHS022N06&DHS022N06E+DataSheet+V2.0.pdf
DH030N03
F7N80
DH100P20D
G40N120D
G50T65D
MBRF20100CT

Tuotevideo

  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi