grille
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Vous êtes ici : Maison » Produits
Modèle:
Emballer:
V :
UN:
LIGNES DE PRODUITS SÉLECTIONNÉES :

Tous les produits

Image Modèle Package V A Fiche technique Détails Demande Ajouter au panier
MOSFET de puissance à super jonction canal N, 10,6a, 650V, DJD380N65T TO-252B DJD380N65T TO-252B 650V 10,6A Donghai_DJD380N65T_Datesheet_V1.0.pdf
Diode barrière Schottky SiC 30A 650V DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 TO-263 650V 30A Spécifications de l'appareil DCE30D65G4.pdf
-50A -60V Mode d'amélioration du canal P MOSFET de puissance DH300P06L TO-220C DH300P06L TO-220C -60V -50A Appareil+DH300P06L+Spécification+Rev.2.0.pdf
MOSFET de puissance SiC canal N, 7,0 A, 1 700 V, DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 TO-247 1700V 7A Donghai_DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 180A 100V DHS025N10U TOLL DHS025N10U SONNER 100V 180A Appareil+DHS025N10U+Spécification+V2.0.pdf
Demi-pont 500 V/4 A IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 33A 60V DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60V 33A Spécifications de l'appareil DH240N06L Rev.2.0.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 80A 40V DH045N04P DFN5X6 DH045N04P DFN5X6 40V 80A Spécification de l'appareil DH045N04P (1) .pdf
Demi-pont 500 V/3 A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500V 5A Donghai_DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
DHS025N06B / DHS025N06D DHS025N06B/DHS025N06D
DSP007N03LA DFN5X6 DSP007N03LA
DSG150N10L3 TO-220 DSG150N10L3
DSU010N04LA Forfait PÉAGE DSU010N04LA
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 240A, 60V, DHS022N06 TO-220C DHS022N06 TO-220C 60V 180A Donghai+DHS022N06&DHS022N06E+Fiche technique+V2.0.pdf
DH030N03
F7N80
DH100P20D
G40N120D
G50T65D
MBRF20100CT

Vidéo du produit

  • Inscrivez-vous à notre newsletter
  • préparez-vous pour l'avenir,
    inscrivez-vous à notre newsletter pour recevoir des mises à jour directement dans votre boîte de réception